講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-01-29 09:20
Reverse current reduction of Ge pin photodiodes on Si without post-growth annealing ○Sungbong Park・Shinya Takita・Yasuhiko Ishikawa・Jiro Osaka・Kazumi Wada(Univ. of Tokyo) PN2008-44 OPE2008-147 LQE2008-144 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2008-147 LQE2008-144 |
抄録 |
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キーワード |
(和) |
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(英) |
Ge photodiode on Si / Reverse leakage current / Back-end process / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 419, LQE2008-144, pp. 11-15, 2009年1月. |
資料番号 |
LQE2008-144 |
発行日 |
2009-01-22 (PN, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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