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| 講演名 | 2009-01-15 11:20 高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造 ○槇田毅彦・玉井 功・星 真一・関 昇平（OKI）  ED2008-209 MW2008-174 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-209 MW2008-174 |
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| 抄録 | （和） | 半絶縁性化合物基板並みの減衰定数を有する低損失線路の実現を目指し、高抵抗シリコン基板上コプレーナ線路（CPW）を作製し、ミリ波マイクロ波領域における損失を評価した。CPWと高抵抗シリコン基板間に窒化シリコン(SiN)絶縁膜を挿入すると、その減衰定数は1GHz以上で1dB/mmを超えることが判明した。CPWの等価回路の計算によれば、シリコン基板と絶縁膜間に低抵抗層を仮定すると、この大きい損失をよく説明できる。そこでCPW中央の信号線路とその両側の接地導体間の絶縁膜をエッチングにより除去したところ、100GHz以下で損失がほぼ1dB/mm以下である低損失線路が実現できた。この減衰定数は半絶縁性化合物半導体基板上に形成したCPWの減衰定数に匹敵するものである。本構造を採用することにより、マルチチップモジュール向け基板として高抵抗シリコン基板を適用できる。 |
| （英） | We have fabricated and evaluated attenuation characteristics of coplanar waveguide (CPW) on high-resisitivity silicon substrate in order to realize low loss CPW whose attenuation constant is as low as that on semi-insulating compound semiconductor for microwave and millimeter wave band. When an insulated SiN layer was inserted between the CPW and high-resistivity silicon substrate, it was found that the attenuation constant exceeded 1dB/mm at 1GHz. The larger attenuation can be explained well by assuming a low resistivity layer between silicon substrate and insulated layer according to the equivalent circuit of the CPW. The CPW on high-resistivity silicon substrate with attenuation constant of less than 1dB/mm could be obtained by etching the insulated layer between the center strip and both side ground planes, which is comparable with that of CPW formed on the semi-insulating compound semiconductor substrate. This CPW structure enables high-resistivity silicon substrate to be adapted for multichip module technology. | |
| キーワード | （和） | コプレーナ線路 / 高抵抗シリコン基板 / 低損失 / / / / / |
| （英） | Coplanar Waveguide / High-Resistivity Silicon Substrate / Low Loss / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 376, ED2008-209, pp. 65-70, 2009年1月. | |
| 資料番号 | ED2008-209 | |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-209 MW2008-174 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-209 MW2008-174 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW ED |
| 開催期間 | 2009-01-14 - 2009-01-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | Compound Semiconductor ICs, High-speed and high-frequency devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-01-MW-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Loss Coplanar Waveguide Structure on High-Resistivity Silicon Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | コプレーナ線路 / Coplanar Waveguide |
| キーワード(2)（和/英） | 高抵抗シリコン基板 / High-Resistivity Silicon Substrate |
| キーワード(3)（和/英） | 低損失 / Low Loss |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 槇田 毅彦 / Takehiko Makita / マキタ タケヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co., Ltd.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 玉井 功 / Isao Tamai / タマイ イサオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co., Ltd.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 星 真一 / Shinichi Hoshi / ホシ シンイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co., Ltd.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関 昇平 / Shohei Seki / セキ ショウヘイ |
| 第4著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co., Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co., Ltd.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-01-15 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-209, MW2008-174 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.376(ED), no.377(MW) |
| ページ範囲 | pp.65-70 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-01-07 (ED, MW) |
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