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| 講演名 | 2008-12-20 12:30 テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換 ○沼尻祐貴・横山 亮・白尾瑞基・西山伸彦・浅田雅洋・荒井滋久（東工大）  ED2008-197 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-197 |
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| 抄録 | （和） | 半導体中での光子吸収で生じる自由電子を用いた，光信号からTHz信号への直接変換法を提案，検証した。光子吸収により生じた自由電子は，表皮効果・自由電子吸収によりTHz信号を吸収する。半導体へ照射する光電力を変えることで，発生する自由キャリアの密度を制御し，THz波の強度変調を実現した。今回，半絶縁性InP基板上に成長した膜厚2μmのGaInAsを変調器とし，1.55μm波長帯の光信号を用い，2MHzまでの変調速度におけるTHz信号への変換を確認した。また，周波数96GHzおよび192GHzのサブTHz波において，45％の最大変調深さと変調深さの周波数依存性を確認した。 |
| （英） | A novel method of signal media conversion from optical signal to Terahertz (THz) signal by the skin effect and the free-carrier absorption using photon generated free-carriers in semiconductor was proposed and demonstrated. Free carriers which generated by photon absorption absorb THz waves due to the skin effect and free-carrier absorption. By changing light power irradiated into the semiconductor, THz power passing through the semiconductor can be changed. Using this phenomenon, intensity modulation of THz waves can be realized. The modulator 2-μm thickness intrinsic GaInAs grown on semi-insulating InP substrate and 1.55 μm wavelength light was used. In this letter, using 192 GHz continuous sub-THz wave and 1.55 μm optical signal, the modulation depth of 45% and the modulated speed up to 2 MHz were demonstrated. | |
| キーワード | （和） | テラヘルツ / 自由キャリア吸収 / 表皮効果 / 半導体レーザ / / / / |
| （英） | terahertz / free carrier absorption / skin effect / semiconductor laser / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 369, ED2008-197, pp. 65-70, 2008年12月. | |
| 資料番号 | ED2008-197 | |
| 発行日 | 2008-12-12 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-197 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-197 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-12-19 - 2008-12-20 |
| 開催地（和） | 東北大学電気通信研究所 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, THz-wave Devices and Systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | テラヘルツ信号の光生成キャリアによる光信号からの直接変換 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | THz Signal Converted from Optical Signal by Photogenerated Carrier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ / terahertz |
| キーワード(2)（和/英） | 自由キャリア吸収 / free carrier absorption |
| キーワード(3)（和/英） | 表皮効果 / skin effect |
| キーワード(4)（和/英） | 半導体レーザ / semiconductor laser |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沼尻 祐貴 / Yuki Numajiri / ヌマジリ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 亮 / Ryo Yokoyama / ヨコヤマ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白尾 瑞基 / Mizuki Shirao / シラオ ミズキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浅田 雅洋 / Masahiro Asada / アサダ マサヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院， 量子ナノエレクトロニクス研究センター (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology, Quantum Nanoelectronics Research Center (略称： Tokyo Tech) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院， 量子エレクトロニクス研究センター (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology, Quantum Nanoelectronics Research Center (略称： Tokyo Tech) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-20 12:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-197 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.369 |
| ページ範囲 | pp.65-70 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-12-12 (ED) |
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