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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-19 15:05 InAlAs/In0.7Ga0.3As系HEMTの極低温下における超高速動作 ○遠藤 聡・渡邊一世（NICT）・篠原啓介（NICT/HRL Labs.）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT）  ED2008-187 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-187 |
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| 抄録 | （和） | ゲート長Lg=50～700 nmを有するIn0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As系HEMTのDC・RF特性を300 K及び16 Kにおいて評価した．予想通り，16 Kに冷却することでドレイン電流Idsの最大値と最大DC相互コンダクタンスgm_maxは増大した．300 Kから16 Kに冷却すると，遮断周波数fTは21～36%増大する．また遅延時間解析により，ゲート電極下の平均電子速度は，300 Kで4.8×107 cm/s，16 Kで6.4×107 cm/sであった．更に，多層キャップ構造を用いてソース・ドレイン抵抗を低減した30 nmゲートHEMTに関して，300 K，77 K，16 KでDC・RF特性を評価した．16 Kにおいて，最高値としてドレイン電圧Vds=0.8 VでfT=603 GHzが得られた．更に16 Kでは，Vds=0.4 Vという低電圧でfT=500 GHzが得られた．これは，極低温下におけるInAlAs/InGaAs系HEMTが，低電圧高速動作が可能であることを示している． |
| （英） | DC and RF characteristics at 300 and 16 K of In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMTs were measured in the gate length Lg range of 50 to 700 nm. The maximum drain-source current Ids and the maximum transconductance gm_max increased at 16 K as expected. We observed an increase of 21 to 36% in the value of the cutoff frequency fT at 16 K over that at 300 K. We obtained the average electron velocity under the gate by a delay time analysis. The velocities were 4.8×107 cm/s at 300 K and 6.4×107 cm/s at 16 K. Furthermore, we measured fT values at 300, 77, and 16 K of a 30-nm-gate HEMT that had a multi-layer cap structure to reduce source and drain resistances under various bias conditions. The maximum fT was 603 GHz at 16 K under a drain-source voltage Vds of 0.8 V. Even at a Vds of 0.4 V, we obtained an fT of 500 GHz at 16 K. This indicates that the cryogenic HEMTs are favorable for low-voltage and ultrahigh-speed operations. | |
| キーワード | （和） | InAlAs/InGaAs / HEMT / 極低温特性 / 遮断周波数 / fT / 遅延時間解析 / 電子速度 / |
| （英） | InAlAs/InGaAs / HEMT / Cryogenic characteristics / Cutoff frequency / fT / Delay time analysis / Electron velocity / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 369, ED2008-187, pp. 15-20, 2008年12月. | |
| 資料番号 | ED2008-187 | |
| 発行日 | 2008-12-12 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-187 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-187 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-12-19 - 2008-12-20 |
| 開催地（和） | 東北大学電気通信研究所 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, THz-wave Devices and Systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InAlAs/In0.7Ga0.3As系HEMTの極低温下における超高速動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultrahigh-Speed Operations of InAlAs/In0.7Ga0.3As HEMTs under Cryogenic Conditions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAlAs/InGaAs / InAlAs/InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 極低温特性 / Cryogenic characteristics |
| キーワード(4)（和/英） | 遮断周波数 / Cutoff frequency |
| キーワード(5)（和/英） | fT / fT |
| キーワード(6)（和/英） | 遅延時間解析 / Delay time analysis |
| キーワード(7)（和/英） | 電子速度 / Electron velocity |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠原 啓介 / Keisuke Shinohara / シノハラ ケイスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | HRL Laboratories, LLC (略称： NICT/HRL Labs.) HRL Laboratories, LLC (略称： NICT/HRL Labs.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 高志 / Takashi Mimura / ミムラ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富士通研究所 (略称： NICT/富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 敏明 / Toshiaki Matsui / マツイ トシアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-19 15:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-187 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.369 |
| ページ範囲 | pp.15-20 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-12-12 (ED) |
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