講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-12-12 15:20
標準CMOSイメージセンサプロセスを用いた2段電荷転送型グローバル電子シャッタ ○安富啓太・田村俊博・伊藤真也・川人祥二(静岡大) ICD2008-125 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2008-125 |
抄録 |
(和) |
本稿では,CMOS イメージセンサにおいて,グローバル電子シャッタを備えかつ低ノイズを実現できる新しい画素構造について述べる.提案する2 段転送型グローバル電子シャッタは,異なる電位を持つ埋め込み型ダイオードを利用し,2 段に電荷転送を行う.これにより,リセットノイズの除去および低暗電流特性が得られ,従来構造よりも大幅な低ノイズ化が可能となる.試作した高速度イメージセンサでは,スリット型フォトダイオードを用いることで,標準CMOS イメージセンサプロセスにおいて提案する画素構造を実現した.測定の結果,画素レベルでの入力換算ノイズは6.3電子であり,従来のグローバル電子シャッタ画素の3から4 倍程度ノイズレベルを減少させることに成功した.また,低照度において,センサ出力が良好な線形性を示し,完全電荷転送がなされていることを確認した. |
(英) |
This paper describes a new type of global electronic shutter pixel for CMOS image sensors. A global electronic shutter is necessary for imaging fast-moving objects without motion blur or distortion. The proposed pixel
has two potential wells with pinned diode structure for two-stage charge transfer that enables a global electronic shuttering and reset noise canceling. A prototype high-speed image sensor fabricated in 0.18$\mu$m standard CMOS image sensor process consists of the proposed pixel array, 12-bit column-parallel cyclic ADC arrays and 192-channel digital outputs. The sensor achieves a good linearity at low-light intensity, demonstrating the perfect charge transfer between two pinned diodes. The input referred noise at the pixel level is measured to be 6.3 e$^−$, which is three to four times smaller than that of conventional CMOS image sensors with global electronic shutter pixels. |
キーワード |
(和) |
グローバル電子シャッタ / CMOSイメージセンサ / 2段電荷転送 / リセットノイズ / 高速度イメージセンサ / / / |
(英) |
Global electronic shutter / CMOS image sensor / two-stage charge transfer / reset noise canceling / High-speed image sensor / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 347, ICD2008-125, pp. 119-124, 2008年12月. |
資料番号 |
ICD2008-125 |
発行日 |
2008-12-04 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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