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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-11 16:50 ［招待講演］垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望 ○中山昌彦・甲斐 正・相川尚徳・小瀬木淳一・西山勝哉・永瀬俊彦・天野 実・池川純夫・岸 達也・與田博明（東芝）  MR2008-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2008-44 |
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| 抄録 | （和） | ギガビット級大容量MRAMを実現するには、小さな情報書き込み電流Icと十分な熱擾乱指数?Eaを両立させることが必要である。垂直磁化方式を用いたスピン注入型MRAMは、従来の面内磁化方式と比べて、微細化しても大きな?Eaと小さなIcを実現することが可能な技術である。本研究では、垂直磁化MRAMのスピン注入反転電流の素子直径依存性を、マイクロマグネティックスシミュレーションにより計算し、素子サイズが小さくなるとともに、スピン注入反転の効率Ic/?Eaが小さくなることを明らかにした。この結果は、垂直磁化を用いたスピン注入式MRAMが本質的に良好なスケーラビリティを持つことを示している。 |
| （英） | Low switching current and Large thermal stability factor is important for achieving a high-density MRAM using spin transfer switching. In this paper, the spin transfer switching current and the thermal stability factor as functions of a diameter of magnetic tunnel junction (MTJ) with the perpendicular magnetic anisotropy is investigated by micromagnetic simulations based on an LLG equation. With the diameter of MTJ decreasing, the spin transfer switching efficiency Ic/?Ea also decreasing. These calculated results clearly show that the MRAM using the spin transfer switching and the perpendicular magnetic anisotropy have excellent scalability for the high density RAM. | |
| キーワード | （和） | MRAM / 垂直磁化 / MTJ / スピン注入 / マイクロマグネティックシミュレーション / / / |
| （英） | MRAM / perpendicular magnetization / MTJ / spin transfer / micromagnetic simulation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, 2008年12月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2008-12-04 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2008-44 エレソ技報アーカイブへのリンク：MR2008-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2008-12-11 - 2008-12-12 |
| 開催地（和） | 愛媛大学総合情報メディアセンター１F メディアホール |
| 開催地（英） | Ehime University |
| テーマ（和） | 信号処理および一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2008-12-MR-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Excellent scalability of Magnetic Random Access Memory using spin transfer switching and perpendicular magnetic anisotropy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MRAM / MRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 垂直磁化 / perpendicular magnetization |
| キーワード(3)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(4)（和/英） | スピン注入 / spin transfer |
| キーワード(5)（和/英） | マイクロマグネティックシミュレーション / micromagnetic simulation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 昌彦 / Masahiko Nakayama / ナカヤマ マサヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba Corporation, Corporate R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 甲斐 正 / Tadashi Kai / カイ タダシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba Corporation, Corporate R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 相川 尚徳 / Hisanori Aikawa / アイカワ ヒサノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba Corporation, Corporate R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小瀬木 淳一 / Junichi Ozeki / オゼキ ジュンイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba Corporation, Corporate R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 勝哉 / Katsuya Nishiyama / ニシヤマ カツヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba Corporation, Corporate R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永瀬 俊彦 / Toshihiko Nagase / ナガセ トシヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba Corporation, Corporate R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 実 / Minoru Amano / アマノ ミノル |
| 第7著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba Corporation, Corporate R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池川 純夫 / Sumio Ikegawa / イケガワ スミオ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba Corporation, Corporate R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸 達也 / Tatsuya Kishi / キシ タツヤ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba Corporation, Corporate R&D Center (略称： Toshiba) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 與田 博明 / Hiroaki Yoda / ヨダ ヒロアキ |
| 第10著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba Corporation, Corporate R&D Center (略称： Toshiba) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-11 16:50:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2008-44 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.346 |
| ページ範囲 | pp.37-41 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-12-04 (MR) |
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