講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-12-11 13:00
重合性モノマーと開始剤の共蒸着による高分子薄膜の作製 ○横倉精二(東京農工大)・室山雅和(東京農工大/ソニー)・田中邦明・臼井博明(東京農工大) OME2008-76 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2008-76 |
抄録 |
(和) |
重合性モノマーと重合開始剤との共蒸着膜に露光・現像を行うことで、高分子薄膜パターンを形成した。本手法を用いることで、蒸着時にメタルマスクを使用せずに材料のパターニングが可能になる。まず、重合性開始剤である4-(Dimethylamino)-benzophenone (DABP)とIRUGACURE907 (IRU)が単独で安定に蒸着できることが判明した。次に、重合性モノマーである2-(9H-carbazol-9-yl)ethylmethacrylate(Car)とDABPまたはIRUを、10:1の等価膜厚比で共蒸着し、マスクを通して露光(355 nm)を行い、THFにて現像を行うと光照射された部分のみが残存した。また、露光・現像によって表面粗さや、膜厚の変化がないことを確認した。さらに、ライン-スペースが10 μmのフォトマスクを用いても良好なパターンが形成された。これにより、重合性モノマーと重合開始剤の共蒸着膜に露光・現像のプロセスを経ることで、有機電子デバイスに有用な微細パターンを持つ高分子薄膜を形成できることが観察された。 |
(英) |
A novel method for preparing patterned polymeric thin films was proposed by means of vapor deposition of a photosensitive layer followed by photopolymerization and development. The photosensitive layers were prepared by coevaporating photoinitiatos of either 4-(Dimethylamino)-benzophenone or IRUGACURE907 with a functional monomer of 2-(9H-carbazol-9-yl)ethylmethacrylate.. It was confirmed that the photoinitiator can be vapor deposited without decomposition. UV irradiation to the coevaporated layer through a photomask initiated radical polymerization, leaving a negative pattern of the irradiated region after immersing into THF. The photopatterning process was found to give no damage to the film morphology and thickness. This method is significant as a new technoque for patterning polymer films without using the shadow mask for vapordeposition. |
キーワード |
(和) |
蒸着重合 / リソグラフィ / ビニル化合物 / パターニング / 有機EL / / / |
(英) |
deposition polymerization / lithography / vinyl monomer / patterning / organic light emitting diode / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 348, OME2008-76, pp. 1-5, 2008年12月. |
資料番号 |
OME2008-76 |
発行日 |
2008-12-04 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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