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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-05 11:10 エタノールクラスターイオンビームによるシリコン表面の低損傷・高効率スパッタリング ○龍頭啓充・尾崎良介・高岡義寛（京大）  SDM2008-186 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-186 |
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| 抄録 | （和） | シリコン表面の低損傷・高効率スパッタリングの実現可能性を探るために，シリコン表面へのエタノールクラスターイオンビームの照射効果について調査した．クラスターサイズの制御は減速電界法を用いて行った．エタノールクラスターイオンビームを照射した際のSi基板表面のスパッタ深さは，SiO$_2$基板表面のスパッタ深さに比べて大きかった．これはエタノールクラスターイオンビームによるSi基板表面に対する化学的スパッタリング効果に起因するものだと考えられる． 減速電圧の増加とともにエタノールクラスターイオンビーム照射後のSi基板表面の表面粗さが減少した．また，同様に減速電圧の増加とともに加速電圧3 kVにおけるエタノールクラスターイオンビーム照射によるSi基板中の変位原子数が減少した．一方，加速電圧約6 kV以上ではエタノールクラスターイオンビーム照射によるSi基板中の変位原子数が加速電圧及び減速電圧に対して飽和傾向を示した． |
| （英） | Irradiation effect of an ethanol cluster ion beam on silicon surface was investigated. The cluster size distribution was controlled by the retarding voltage method. Sputtered depths in silicon induced by the ethanol cluster ion beams were larger than those in silicon dioxide. The surface roughness of Si substrate decreased with increase in the retarding voltage. Similarly, the number of disordered atoms in Si substrate decreased with increase in the retarding voltage when the acceleration voltage was 3 kV. On the other hand, the number of disordered atoms in Si substrate saturated with the acceleration and retarding voltages when the acceleration voltage was larger than 6 kV. | |
| キーワード | （和） | クラスターイオンビーム / 表面加工 / スパッタリング / エタノール / / / / |
| （英） | Cluster ion beam / Surface modification / Sputtering / Ethanol / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 335, SDM2008-186, pp. 11-15, 2008年12月. | |
| 資料番号 | SDM2008-186 | |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-186 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-186 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-12-05 - 2008-12-05 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパスA1-001 |
| 開催地（英） | Kyoto University, Katsura Campus, A1-001 |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | エタノールクラスターイオンビームによるシリコン表面の低損傷・高効率スパッタリング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-damage high-rate sputtering of silicon induced by ethanol cluster ion beam |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | クラスターイオンビーム / Cluster ion beam |
| キーワード(2)（和/英） | 表面加工 / Surface modification |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタリング / Sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | エタノール / Ethanol |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 龍頭 啓充 / Hiromichi Ryuto / リュウトウ ヒロミチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾崎 良介 / Ryosuke Ozaki / オザキ リョウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高岡 義寛 / Gikan H. Takaoka / タカオカ ギカン |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-05 11:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-186 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.335 |
| ページ範囲 | pp.11-15 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) |
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