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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-05 15:30 紫外線プラズマ照射によるSiO2/Si界面及びSi中の電気的特性変化 ○滝内 芽・鮫島俊之（東京農工大）  SDM2008-193 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-193 |
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| 抄録 | （和） | プラズマ及び紫外線レーザ照射後のMOS試料の電気特性の変化について報告する。P型シリコン基板に100nmの熱酸化膜を形成したMOS試料にH2 rfプラズマ50W,O2 及びAr rfプラズマ100Ｗ を１５～６０分照射したとき、100kHz C-V特性の酸化膜容量は未プラズマ照射の3.5×10-8から4.3×10-8, 3.9×10-8, 3.9×10-8F/cm2へとそれぞれ増大した。さらに最小空乏層容量は未プラズマ照射の1.3×10-8から3.9×10-9, 8.8×10-9, 3.3×10-9F/cm2へとそれぞれ低下した。本容量低下はゲート電圧の掃引時間が10s/0.1V未満のときに観測された。さらに正ゲート電圧領域においてリーク電流の増大が観測された。空乏層容量の低下は電子マイノリティキャリヤライフタイムの増大か、電子電流リークの増大に起因すると考えられる。有限要素差分ポテンシャル解析により、SiO2/Si界面の準位密度はH2,O2プラズマの場合照射時間を増やすにつれて3.5×1011から2.9×1011, 2.5×1011cm-2へ少し減少した。また固定電荷密度は3.0×1011から1.5×1011, 2.5×1011cm-2へそれぞれ低下した。パルス幅30ns、波長308nmのXeClエキシマレーザをSiO2/Siに照射したとき、Ｃ－Ｖ特性において、酸化膜容量の低下が観測された。 |
| （英） | Changes in electrical properties of metal-oxide-semiconductor irradiated by plasma or UV laser are reported. Capacitance response with voltage at a frequency of 100kHz was measured after hydrogen plasma at RF power of 50W, oxegen and argon plasma of at 100W irradiation for duration from 15 to 60 min. The oxide capacitance of 100kHz C-V characteristics increased from 3.5×10-8(no plasma irradiation) to 4.3×10-8(H2 plasma), 3.9×10-8(O2 plasma), 3.9×10-8(Ar plasma) F/cm2, respectively. The minimum depletion layer capacitance decreased from 1.3×10-8(no plasma irradiation) to 3.9×10-9(H2 plasma), 8.8×10-9(O2 plasma), 3.3×10-9(Ar plasma) F/cm2. The decrease in the capacitance was observed when the scan time of the gate voltage was shorter than 10s/0.1V. Moreover, the increase in the leak current density was observed. Decrease in the depletion capacitance would be caused by the increase in the carrier lifetime of electron minority carrier or the electron leak current. The density of the deep level defect states at the SiO2/Si interface increased from 3.5×1011(no plasma) to 2.9×1011(H2 plasma) , 2.5×1011(O2 plasma)cm-2 as plasma irrdiation time increased from 0 to 60min. The fixed positive charge decreased from 3.0×1011(no plasma) to 1.5×1011(H2 plasma), 2.5×1011(O2 plasma)cm-2. SiO2/Si was also irradiated by 30-ns-pulsed XeCl excimer laser with a wavelength of 308nm. The oxide capacitance decreased. | |
| キーワード | （和） | プラズマ処理 / 紫外線レーザ / C-V特性 / リーク電流 / キャリヤライフタイム / / / |
| （英） | plasma treatment / UV laser / C-V characteristics / leak current / carrier lifetime / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 335, SDM2008-193, pp. 49-54, 2008年12月. | |
| 資料番号 | SDM2008-193 | |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-193 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-193 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-12-05 - 2008-12-05 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパスA1-001 |
| 開催地（英） | Kyoto University, Katsura Campus, A1-001 |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 紫外線プラズマ照射によるSiO2/Si界面及びSi中の電気的特性変化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Change in electrical properties of SiO2/Si interface as well as Si caused by Ultraviolet light and plasma irradiations |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマ処理 / plasma treatment |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外線レーザ / UV laser |
| キーワード(3)（和/英） | C-V特性 / C-V characteristics |
| キーワード(4)（和/英） | リーク電流 / leak current |
| キーワード(5)（和/英） | キャリヤライフタイム / carrier lifetime |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 滝内 芽 / Megumu Takiuchi / タキウチ メグム |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo University of Agriculture and Technology) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鮫島 俊之 / Toshiyuki Sameshima / サメシマ トシユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京農工大学 (略称： 東京農工大) Tokyo University of Agriculture and Technology (略称： Tokyo University of Agriculture and Technology) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-12-05 15:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-193 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.335 |
| ページ範囲 | pp.49-54 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) |
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