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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-12-05 15:50 極淺接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス 長田光生・○芝原健太郎（広島大）  SDM2008-194 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-194 |
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| 抄録 | （和） | Siの微細MOSFET製作に欠かすことができない工程の一つである、極浅接合形成ではプレアモルファス化イオン注入がしばしば用いられる。ドーパント注入の際のチャネリングを防ぐことと、イオン注入によって生ずる点欠陥の再結合をアモルファス化層の固相エピにより促進し、点欠陥が関与する増速拡散を抑えることがその目的である。Siの代替材料としてGe及びそのプロセス技術を研究する場合にもプレアモルファス化の有用性評価が必要であると考え、先ずイオン注入によるGeのアモルファス化条件を調べた。アモルファス化臨界ドーズやアモルファス化層の厚さと注入イオンの質量数との関係等から、Geのアモルファス化に特徴的なメカニズムについて議論した。 |
| （英） | For ultra-shallow junction formation process, that is indispensable for scaled Si MOSFET fabrication, pre-amorphization ion implantation is often used. The aims of the preamorphization ion implantation are suppression of ion channeling of implanted dopant and suppression of enhanced diffusion induced by point defects by promoting recombination of the points defects by solid-phase epitaxial growth of an amorphized layer. In advance of usefulness evaluation of the preamorphization implantation for Germanium that is one of an alternative materials of Si, amorophization condition of Ge is obtained. Amorohization mechanisms that are specific for Ge are discussed referring critical implantation dose and amorphized thickness for various ion mass. | |
| キーワード | （和） | Ge / ゲルマニウム / イオン注入 / アモルファス化 / 臨界ドーズ / / / |
| （英） | Ge / Germanium / Ion Implantation / Amorphization / Critical Dose / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 335, SDM2008-194, pp. 55-58, 2008年12月. | |
| 資料番号 | SDM2008-194 | |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-194 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-194 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-12-05 - 2008-12-05 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパスA1-001 |
| 開催地（英） | Kyoto University, Katsura Campus, A1-001 |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Characterization of Si and Si-related Materials and Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 極淺接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Amorphization of Germanium by Ion Implantatin for Shallow Junction Formation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(3)（和/英） | イオン注入 / Ion Implantation |
| キーワード(4)（和/英） | アモルファス化 / Amorphization |
| キーワード(5)（和/英） | 臨界ドーズ / Critical Dose |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長田 光生 / Kosei Osada / オサダ コウセイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 芝原 健太郎 / Kentaro Shibahara / シバハラ ケンタロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
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| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2008-12-05 15:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-194 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.335 |
| ページ範囲 | pp.55-58 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-11-28 (SDM) |
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