講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-12-05 11:30
アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜表面のSi原子移動 高梨泰幸・部家 彰・○松尾直人・神田一浩(兵庫県立大) SDM2008-187 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-187 |
抄録 |
(和) |
アンジュレータ光源から発生した軟X線をa-Si膜(膜厚1, 50nm)に照射したときの特性変化を検討した.照射前後で表面粗さRaは0.63 nmから1.70 nmへ変化した.これに対応して電気抵抗値も増加した.膜厚が薄い場合,単位原子当たりの光の吸収量が大きい.フォトンによるSi原子の振動励起がトリガーとなり,膜厚方向へ働く力が大きくなる.Si原子の移動が連続的に生じ凝集現象が起き,表面形状が変化したと考えられる. |
(英) |
We investigated the characteristics of a-Si film with thicknesses of 1 and 50 nm those were irradiated by soft X-ray from the undulator source. The average roughness Ra of 1nm-thick-Si film were changed from 0.63 to 1.7nm by soft X-ray irradiation. The cohesion of Si atoms were observed. The electric resistivity of it also increased corresponding to the change of the surface roughness. The X-ray absorption rate of thin Si film becomes larger than the thick film. Because the phonon excitation of Si atoms by X-ray absorption becomes remarkable, the perpendicular force worked to Si atoms increases. This causes the cohesion of Si atoms at the surface. |
キーワード |
(和) |
アモルファスSi / 軟X線 / アンジュレータ / 凝集 / 振動励起 / / / |
(英) |
a-Si / soft X-ray / undulator / cohesion / phonon excitation / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 335, SDM2008-187, pp. 17-20, 2008年12月. |
資料番号 |
SDM2008-187 |
発行日 |
2008-11-28 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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