講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-11-28 09:25
MOVPE法によるAlGaN結晶成長の熱流体計算解析 ○平子 晃・市川晶也・中村健一・大川和宏(東京理科大) ED2008-170 CPM2008-119 LQE2008-114 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-170 CPM2008-119 LQE2008-114 |
抄録 |
(和) |
我々はこれまでにGaNおよびAlNのMOVPE法における反応過程を熱化学流体計算で解析してきた。AlN成長では原料の急激な気相反応が成長を阻害することが判り、今回は同様の問題が考えられるAlGaN結晶に関して成長圧力が10~100 kPaにおける反応過程を熱化学流体計算により解析した。100 kPaでは原料であるトリメチルガリウム(TMGa)、トリメチルアルミニウム(TMAl)およびアンモニア(NH3)が結晶成長に至る前に急激な気相反応を起こしていることが計算結果から判り、実際の実験においてもAlGaN成長が困難であった。一方、10 kPaの減圧下では原料分子間の衝突頻度が減少して気相反応を抑制できている様子が計算から得られ、AlGaN成膜が容易である状況を解析できた。 |
(英) |
We have reported analysis of reaction pathways in metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) of GaN and AlN films by using computational fluid dynamics (CFD) simulations considering radiative heat transfer. AlGaN MOVPE growths are calculated at various reactor pressures, 10-100 kPa, in this paper. In the case of 100 kPa, it is found that parasitic reactions occur between TMGa, TMAl and NH3. At low pressure of 10 kPa, parasitic reactions suppress since the collision rate among the gaseous molecules are decreases in the lower pressure. |
キーワード |
(和) |
AlGaN / MOVPE法 / 流体計算 / / / / / |
(英) |
AlGaN / MOVPE / Computational Fluid Dynamics / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-114, pp. 89-92, 2008年11月. |
資料番号 |
LQE2008-114 |
発行日 |
2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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