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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-28 11:15 AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計 ○酒井亮輔・岡井智隆・塩島謙次・葛原正明（福井大）  ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118 |
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| 抄録 | （和） | 傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧特性に関して、2次元アンサンブルモンテカルロシミュレーションを用いて理論解析を行った。傾斜フィールドプレートは、チャネル内の最大電界強度を最小化するのに有効であることが確認された。デバイスパラメータを関数として、耐圧の経験式を導出した。チャネル内での絶縁破壊だけでなく絶縁膜での絶縁破壊にも配慮した電界分布の解析を行った。優れた耐圧特性を得るためには、Al2O3のようなワイドバンドギャップかつ高い比誘電率を有する材料を絶縁膜に用いることが望ましいという結果が得られた。フィールドプレート長5μmの傾斜フィールドプレートデバイスに対して最大3000V近い耐圧が予測される。 |
| （英） | We have analyzed the electric field distribution for AlGaN/GaN HEMTs with various types of graded field plates using an ensemble Monte Carlo 2D device simulation. It was found that the graded field plate, where the dielectric film thickness under the field plate gradually increases along gate to drain direction, was effective to minimize the peak electric field strength in the channel layer. Empirical equations expressing the breakdown voltage as functions of device parameters have been derived. We have also analyzed the breakdown characteristics, taking breakdown fields in semiconductor materials as well as those in dielectric materials into account. Simulation results show that a dielectric film with a wide bandgap and a high dielectric constant, such as Al2O3, is desirable to ensure excellent breakdown characteristics. The highest breakdown voltage of around 3000V is predicted for a device with a graded field plate length of 5μm. | |
| キーワード | （和） | フィールドプレート / GaN / HEMT / 耐圧 / モンテカルロシミュレーション / / / |
| （英） | field plate / GaN / HEMT / breakdown voltage / Monte Carlo simulation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 321, ED2008-174, pp. 109-114, 2008年11月. | |
| 資料番号 | ED2008-174 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-174 CPM2008-123 LQE2008-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTの最適フィールドプレート設計 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optimum Design of AlGaN/GaN HEMTs with Field Plate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フィールドプレート / field plate |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | 耐圧 / breakdown voltage |
| キーワード(5)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo simulation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 亮輔 / Ryosuke Sakai / サカイ リョウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡井 智隆 / Tomotaka Okai / オカイ トモタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-28 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-174, CPM2008-123, LQE2008-118 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.109-114 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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