講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-11-27 09:55
GaNナノコラムにおけるランダムレージング ○酒井 優・岸野克巳・菊池昭彦・関口寛人(上智大/JST)・猪瀬裕太(上智大)・江馬一弘・大槻東巳(上智大/JST) ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 |
抄録 |
(和) |
GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nm程度、高さ1$\mu$m程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことから結晶性に優れ、誘導放出光も観察されている。一方、GaNナノコラムは基板上にランダムに配置していることから、2次元ランダム系ととらえることが出来、光の強い局在効果が期待される。本研究では、ランダム系における光の局在現象の一つであるランダムレージングを、GaN系半導体として初めて観察した。また、コラム密度の異なるサンプル間の比較や、2次元FDTDによるシミュレーション計算より、観察されたランダムレージングと光の強局在の関連性を明らかにした。 |
(英) |
Self-organized GaN nanocolumns are one-dimensional columnar nano-crystals, which have about 100 nm in diameter and 1 $\mu$m in height. Nanocolumns have high optical properties due to almost dislocation-free nature. And also, strong localization of light is expected in nanocolumns due to it’s randomly distribution. In this study, we observed the random laser action in self-organized GaN nanocolumns for the first time. Polarization behavior, sample dependence, and theoretical approach using 2D-FDTD method will be also presented. |
キーワード |
(和) |
ランダムレージング / ランダムレーザー / 窒化物半導体 / ナノコラム / ランダム系 / 光の局在 / / |
(英) |
random lasing / random laser / nitride semiconductor / nanocolumn / disordered system / localization of light / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-97, pp. 7-12, 2008年11月. |
資料番号 |
LQE2008-97 |
発行日 |
2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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