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講演抄録/キーワード
講演名 2008-11-27 09:55
GaNナノコラムにおけるランダムレージング
酒井 優岸野克巳菊池昭彦関口寛人上智大/JST)・猪瀬裕太上智大)・江馬一弘大槻東巳上智大/JSTED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97
抄録 (和) GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nm程度、高さ1$\mu$m程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことから結晶性に優れ、誘導放出光も観察されている。一方、GaNナノコラムは基板上にランダムに配置していることから、2次元ランダム系ととらえることが出来、光の強い局在効果が期待される。本研究では、ランダム系における光の局在現象の一つであるランダムレージングを、GaN系半導体として初めて観察した。また、コラム密度の異なるサンプル間の比較や、2次元FDTDによるシミュレーション計算より、観察されたランダムレージングと光の強局在の関連性を明らかにした。 
(英) Self-organized GaN nanocolumns are one-dimensional columnar nano-crystals, which have about 100 nm in diameter and 1 $\mu$m in height. Nanocolumns have high optical properties due to almost dislocation-free nature. And also, strong localization of light is expected in nanocolumns due to it’s randomly distribution. In this study, we observed the random laser action in self-organized GaN nanocolumns for the first time. Polarization behavior, sample dependence, and theoretical approach using 2D-FDTD method will be also presented.
キーワード (和) ランダムレージング / ランダムレーザー / 窒化物半導体 / ナノコラム / ランダム系 / 光の局在 / /  
(英) random lasing / random laser / nitride semiconductor / nanocolumn / disordered system / localization of light / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-97, pp. 7-12, 2008年11月.
資料番号 LQE2008-97 
発行日 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2008-11-27 - 2008-11-28 
開催地(和) 名古屋工業大学 
開催地(英) Nagoya Institute of Technology 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般 
テーマ(英) Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2008-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaNナノコラムにおけるランダムレージング 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Random lasing in GaN nanocolumns 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ランダムレージング / random lasing  
キーワード(2)(和/英) ランダムレーザー / random laser  
キーワード(3)(和/英) 窒化物半導体 / nitride semiconductor  
キーワード(4)(和/英) ナノコラム / nanocolumn  
キーワード(5)(和/英) ランダム系 / disordered system  
キーワード(6)(和/英) 光の局在 / localization of light  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 酒井 優 / Masaru Sakai / サカイ マサル
第1著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大/JST)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸野 克巳 / Katsumi Kishino / キシノ カツミ
第2著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大/JST)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 菊池 昭彦 / Akihiko Kikuchi / キクチ アキヒコ
第3著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大/JST)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi / セキグチ ヒロト
第4著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大/JST)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 猪瀬 裕太 / Yuta Inose / イノセ ユウタ
第5著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 江馬 一弘 / Kazuhiro Ema / エマ カズヒロ
第6著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大/JST)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 大槻 東巳 / Tomi Ohtsuki / オオツキ トウミ
第7著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大/JST)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-11-27 09:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2008-153, CPM2008-102, LQE2008-97 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数
発行日 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) 


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