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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-27 10:20 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討 ○塩田倫也・富田祐貴・杉山正和・霜垣幸浩・中野義昭（東大）  ED2008-154 CPM2008-103 LQE2008-98 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-154 CPM2008-103 LQE2008-98 |
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| 抄録 | （和） | 有機金属気相成長(MOVPE: Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)の選択成長(Selective Area Growth)を用いることで，1回の結晶成長で同一基板面内に異なる組成（波長，歪み）や膜厚を持つ多波長発光素子を作成することが可能である．本論文では大きな気相拡散効果を生じる広幅(>10$\mu$m)なマスクに着目し，マスク周辺における膜厚・発光波長分布を調べた．一方で，選択成長を数理化した気相拡散モデルを用い，製膜種の気相拡散の振る舞いを定量的に解析した．その結果InGaN成長条件下においては，GaN製膜種の拡散長が10$\mu$m程度と短く，大きな面内膜厚変調を生じることを見出した．更に，マスク上でのGaNの核発生を抑制するために水素添加を提案し，良好な選択性を達成した．選択性向上により気相拡散の効果が促進され，バルクInGaNの成長増大係数の最大値4.8，発光波長54 nm(組成比換算11%)シフトを得た． |
| （英） | Selective area metal-organic vapor phase epitaxy (SA-MOVPE) allows in-plane control of layer composition and thickness. We have analyzed thickness and photoluminescence (PL) profiles of InGaN layers around the relatively wide (>10$\mu$m) selective masks. Numerical simulation using vapor phase diffusion model was also carried out. To obtain deposition selectivity between masks and crystal surface, in-situ etching using hydrogen is effective because it prevents GaN nucleation on mask. Consequently, the maximum growth rate enhancement of 4.8 and photoluminescence peak shift of 54 nm (nominal 11% indium composition shift) were achieved for InGaN bulk layer. | |
| キーワード | （和） | 有機金属気相成長 / 選択成長 / GaN / InGaN / 反応速度論的解析 / 成長モデル / モノリシック集積 / |
| （英） | Metal-organic vapor phase epitaxy / selective area growth / gallium nitride / indium gallium nitride / kinetics analysis / growth model / monolithic integration / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-98, pp. 13-16, 2008年11月. | |
| 資料番号 | LQE2008-98 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-154 CPM2008-103 LQE2008-98 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-154 CPM2008-103 LQE2008-98 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Proposal of InGaN-Based Multiple-Colored Light Emitting Devices Using Selective Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機金属気相成長 / Metal-organic vapor phase epitaxy |
| キーワード(2)（和/英） | 選択成長 / selective area growth |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / gallium nitride |
| キーワード(4)（和/英） | InGaN / indium gallium nitride |
| キーワード(5)（和/英） | 反応速度論的解析 / kinetics analysis |
| キーワード(6)（和/英） | 成長モデル / growth model |
| キーワード(7)（和/英） | モノリシック集積 / monolithic integration |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩田 倫也 / Tomonari Shioda / シオダ トモナリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 富田 祐貴 / Yuki Tomita / トミタ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 正和 / Masakazu Sugiyama / スギヤマ マサカズ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 霜垣 幸浩 / Yukihiro Shimogaki / シモガキ ユキヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中野 義昭 / Yoshiaki Nakano / ナカノ ヨシアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-27 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2008-154, CPM2008-103, LQE2008-98 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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