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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-27 09:30 RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製 ○関口寛人・菊池昭彦・岸野克巳（上智大）  ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 |
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| 抄録 | （和） | GaNナノコラムは結晶中に貫通転位を含まず優れた発光特性を有する。我々は可視全域で発光するInGaN/GaN量子井戸ナノコラムLEDの報告を行ってきたが、個々のナノコラムからの発光波長が異なるために発光スペクトルはブロードになる傾向があった。このようなナノコラムLEDの特性を改善するためにはナノコラムの位置と形状の制御が必要である。本研究では、Tiマスクを用いたGaNナノコラムのMBE法による選択成長に成功したので報告する。選択成長は成長温度に強く依存し、900℃以上において選択成長が観測され、過剰な基板温度の増加はナノコラム形状の不均一化を促した。また窒素流量の減少はナノコラムの横方向成長及び選択成長パターンのないTi薄膜上における自己形成GaN結晶の成長を抑制した。InGaN活性層のIn組成を変化させることにより青色から赤色の発光を実現し、規則配列化によるPL半値幅の低減を観測した。直径112nm、周期200nmをもつサンプルにおける低温と室温のPL積分強度比を評価したところ、77%と比較的高い値が得られた。 |
| （英） | GaN nanocolumns have high optical properties due to dislocation-free nature. We report the fabrication of regularly arranged InGaN/GaN nanocolumns using Ti mask selective area growth technology by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy (rf-MBE). The SAG of GaN nanocolumns strongly depended on the growth temperature (Tg), i.e.; at the Tg below 900 oC, no SAG occurred, but above 900 oC, SAG occurred. An excess value of Tg above 900 oC brought about an increased inhomogeneity in the nanocolumn shape. Uniform nanocolumn arrays were grown around the critical temperature of 900 oC. A low supplied nitrogen suppressed the lateral growth of nanocolumn and the nucleation of GaN nanocrystals on the nitrided Ti thin layer. For regularly arranged InGaN/GaN nanocolumn arrays with different In composition, blue to red emissions were observed at room temperature and the PL-FWHM of those was narrower than those of self-organized nanocolumns. The ratio of PL integrated intensity at 300 K to that at 4 K was obtained to be 77% for a sample with 112 nm diameter and 200 nm period. | |
| キーワード | （和） | ナノコラム / ナノロッド / ナノワイヤ / 窒化物半導体 / 選択成長 / 分子線エピタキシー / / |
| （英） | Nanocolumn / Nanorod / Nanowire / Nitride Semiconductor / Selective-area growth / Molecular-Beam Epitaxy / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 323, LQE2008-96, pp. 1-6, 2008年11月. | |
| 資料番号 | LQE2008-96 | |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2008-11-27 - 2008-11-28 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，及び関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Based Optical and Electronic Devices, Materials and Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of regularly arranged InGaN/GaN nanocolumns by Ti mask selective area growth throughout rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノコラム / Nanocolumn |
| キーワード(2)（和/英） | ナノロッド / Nanorod |
| キーワード(3)（和/英） | ナノワイヤ / Nanowire |
| キーワード(4)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride Semiconductor |
| キーワード(5)（和/英） | 選択成長 / Selective-area growth |
| キーワード(6)（和/英） | 分子線エピタキシー / Molecular-Beam Epitaxy |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi / セキグチ ヒロト |
| 第1著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊池 昭彦 / Akihiko Kikuchi / キクチ アキヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸野 克巳 / Katsumi Kishino / キシノ カツミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-27 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2008-152, CPM2008-101, LQE2008-96 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.321(ED), no.322(CPM), no.323(LQE) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-20 (ED, CPM, LQE) |
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