講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-11-20 14:55
散乱体によるTEMセル内電磁界の測定 ○森岡健浩(産総研) EMCJ2008-74 |
抄録 |
(和) |
TEMセル内に散乱体を挿入することによって,セル入力端における反射係数が変動する.この変動は散乱体位置における散乱体が存在しない時の電磁界強度と関連付けられるため,電磁界強度分布の測定が可能となる.本稿では直線状ワイヤーを用いた3 軸方向の電界強度分布の測定を行う.また,環状ワイヤーを用いた測定についても検討する. |
(英) |
By loading a passive scatterer in a TEM cell, reflection coefficient at the input port of the cell deviates from that without the scatterer. Since the deviation of the reflection coefficient can be related to the electric field strength at the scatterer location, a 3-dimensional map of the field strength in the direction of the straight wire axis can be obtained. In addition to this, measured results by using a circular wire are reported. |
キーワード |
(和) |
TEMセル / 電磁界強度 / リアクション / 散乱体 / 反射係数 / / / |
(英) |
TEM cell / Electromagnetic field strength / Reaction theorem / Scatterer / Reflection coefficient / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 307, EMCJ2008-74, pp. 1-6, 2008年11月. |
資料番号 |
EMCJ2008-74 |
発行日 |
2008-11-13 (EMCJ) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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