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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-11-14 15:50 フラックス方程式に基づいたシリコンの高電界輸送の解析 ○両角直人・名取研二（筑波大）  SDM2008-181 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-181 |
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| 抄録 | （和） | 高電界下の半導体素子において，光学フォノンの放出による電子の運動エネルギーの緩和が輸送特性に及ぼす影響を，Transmission formalism に基づいた解析的なアプローチにより検討した．一次元のボルツマン輸送方程式から直接導いたフラックス方程式により，エネルギー緩和のレートを変えて系の輸送特性の変化を調べた．光学フォノンの放出によるエネルギーの緩和が起こることで，負の速度成分が抑制されて系のバリスティック輸送効率が上昇することを確認した．しかし同時に，チャネル内の電子の速度を減少させ，結果的に電流値を減少させる効果も示された． |
| （英） | The influence of the energy relaxation due to the optical phonon emission on the high-field transport property is investigated by an analytical approach based on the transmission formalism. We have studied the electron transport properties for the variation of energy relaxation rate, using the flux equation derived from the one-dimensional Boltzmann transport equation (BTE). It is confirmed that the energy relaxation due to the optical phonon emission suppresses the negative velocity component and improves the ballistic transport efficiency. However, the energy relaxation also decreases the carrier velocity in the channel region and degrades the current magnitude. | |
| キーワード | （和） | シリコン / 高電界輸送 / transmission formalism / フラックス / エネルギー緩和 / / / |
| （英） | Silicon / high-field transport / transmission formalism / flux / energy relaxation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 292, SDM2008-181, pp. 71-76, 2008年11月. | |
| 資料番号 | SDM2008-181 | |
| 発行日 | 2008-11-06 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-181 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-181 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-11-13 - 2008-11-14 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | フラックス方程式に基づいたシリコンの高電界輸送の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-field Transport in Silicon Analyzed by Flux Equation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 高電界輸送 / high-field transport |
| キーワード(3)（和/英） | transmission formalism / transmission formalism |
| キーワード(4)（和/英） | フラックス / flux |
| キーワード(5)（和/英） | エネルギー緩和 / energy relaxation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 両角 直人 / Naohito Morozumi / モロズミ ナオヒト |
| 第1著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名取 研二 / Kenji Natori / ナトリ ケンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-11-14 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-181 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.292 |
| ページ範囲 | pp.71-76 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-11-06 (SDM) |
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