講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-10-30 14:30
第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化 ○大島 穣・牧野雄一郎(長岡技科大)・片桐裕則・新保和夫(長岡高専)・黒木雄一郎・安井寛治・高田雅介・赤羽正志(長岡技科大) CPM2008-78 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2008-78 |
抄録 |
(和) |
Alドープ酸化亜鉛 (AZO)の堆積において第三電極を有するrfマグネトロンスパッタ法を用いることで従来のrfマグネトロンスパッタ法よりも基板面内の均一性が改善することを見出してきた.AZO膜の更なる低抵抗化を目指して, 酸化亜鉛(ZnO)中で浅いドナー準位を形成する水素のドーピング効果を調べるためAZO堆積膜に水素プラズマアニールを行った.その結果,水素ドープによるキャリア密度の増加と共にホール移動度の向上に効果があった. |
(英) |
Improvement of the uniformity in the resistivity of Al doped ZnO (AZO) films has been obtained using a radio frequency (rf) magnetron sputtering with a third electrode. In order to further lower the resistivity of the AZO films, hydrogen doping by the hydrogen plasma annealing was investigated. As a result, the electron density increased. Hall mobility also increased perhaps due to the reduction of the adsorbed oxygen on the grain boundary by the hydrogen annealing. |
キーワード |
(和) |
AZO / rfマグネトロンスパッタ / 第三電極 / 水素プラズマアニール / / / / |
(英) |
AZO / rf magnetron sputtering / third electrode / hydrogen plasma annealing / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 269, CPM2008-78, pp. 19-22, 2008年10月. |
資料番号 |
CPM2008-78 |
発行日 |
2008-10-23 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
CPM2008-78 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2008-78 |