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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-10-30 13:50 ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性 ○須藤晴紀・黒田朋義・加藤有行・西山 洋・井上泰宣・赤羽正志・高田雅介・安井寛治（長岡技科大）  CPM2008-77 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2008-77 |
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| 抄録 | （和） | モノメチルゲルマンを用いてSi(001)基板上に形成したGe，SiCナノドットに対して，構造，表面組成を調べると共に，SiまたはSiCによりキャッピングした構造におけるフォトルミネッセンス（PL）の測定を行った． 走査型トンネル顕微鏡（STM）観察によりドット平均径9 nm，密度6.6×1011 cm-2と見積もられたSiC，Geナノドットの形成表面に対するX線光電子分光（XPS）分析から，GeナノドットとSiCナノドットがおよそ1:2の割合で形成されることが示唆された． この高密度ナノドットをSiまたはSiCによりキャッピングした構造に対する低温PL測定を行った結果，1.04 eV近傍にGeナノドットに由来すると考えられる発光ピークを確認した． |
| （英） | Surface structure and surface composition of Ge and SiC nanodot-fabricated surface on a Si(001) substrate using monomethylgermane were investigated by scanning tunneling microscopy (STM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). After the formation of capping layers by Si and SiC on the Ge, SiC nanodot surface, photoluminescence spectra were also measured at 34K. From the quantitative analysis of XPS spectra, it was estimated that the Ge and SiC nanodots exsisted in the ratio of about 1:2. PL peak around 1.04 eV, which is derived from the Ge nanodots, was observed. |
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| キーワード | （和） | Geナノドット / SiCナノドット / モノメチルゲルマン / STM / XPS / PL / / |
| （英） | Ge nanodot / SiC nanodot / monomethylgermane / STM / XPS / PL / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 269, CPM2008-77, pp. 13-18, 2008年10月. | |
| 資料番号 | CPM2008-77 | |
| 発行日 | 2008-10-23 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2008-77 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2008-77 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2008-10-30 - 2008-10-31 |
| 開催地（和） | 新潟大学 |
| 開催地（英） | Niigata Univ. |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | Process of Thin Film formation and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2008-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optical properties of Ge nanodots capped by wide gap semiconductors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Geナノドット / Ge nanodot |
| キーワード(2)（和/英） | SiCナノドット / SiC nanodot |
| キーワード(3)（和/英） | モノメチルゲルマン / monomethylgermane |
| キーワード(4)（和/英） | STM / STM |
| キーワード(5)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(6)（和/英） | PL / PL |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須藤 晴紀 / Haruki Suto / ストウ ハルキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 朋義 / Tomoyoshi Kuroda / クロダ トモヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 有行 / Ariyuki Kato / カトウ アリユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 洋 / Hiroshi Nishiyama / ニシヤマ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 泰宣 / Yasunobu Inoue / イノウエ ヤスノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤羽 正志 / Tadashi Akahane / アカハネ タダシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高田 雅介 / Masasuke Takata / タカタ マサスケ |
| 第7著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-10-30 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2008-77 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.269 |
| ページ範囲 | pp.13-18 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-10-23 (CPM) |
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