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講演抄録/キーワード
講演名 2008-10-30 13:25
パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長
小前泰彰齋藤 健長岡技科大)・末光眞希伊藤 隆遠藤哲郎東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克九工大)・高田雅介安井寛治赤羽正志長岡技科大エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2008-76
抄録 (和) 紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において原料ガスの間欠供給及びメッシュのパルス加熱がGaN結晶膜の特性にどのような効果をもたらすか調べた。これまでルテニウム(Ru)を坦持したメッシュ状タングステン(W)を用いたホットメッシュCVD法により、メッシュ温度1100℃において良好な結晶性と深い順位からの発光が無く強いバンド端発光を示すGaN膜の成長に成功している。今回、気相反応を抑制することでGaN膜の特性を更に改善出来ないか、アンモニア及びアルキル金属原料ガスをパルス供給させ成長を行った。また、Wメッシュ上でアンモニアの吸着・分解・脱離をパルス的に行い基板に供給することでGaNの特性にどのような影響が生じるか調べた。結果、TMGをパルス供給させアンモニアを連続供給させた場合においてGaNの結晶性、発光特性ともに優れた膜が得られた。また、メッシュのパルス加熱によるGaN成長においては結晶性の改善を見出せなかった。 
(英) Intermittent gas supplies in hot-mesh CVD for the epitaxial growth of gallium nitride (GaN) were investigated for the improvement of its crystallinity and optical properties. Pulse heating of the Ru coated W-mesh during the hot-mesh CVD was also tried for the enhancement of the high-density NHx supply. As a result, the good crystallinity of GaN films were obtained by intermittent gas supply of TMG and a continuous supply of NH3 gas compared with other intermittent gas supplies. The pulse heating of W-mesh did not result in the improvement of the film quality of GaN.
キーワード (和) 窒化ガリウム / 窒化アルミニウム / 間欠供給 / / / / /  
(英) GaN / AlN / Alternating supply / Intermittent supply / Ru / W-mesh / Hot-mesh CVD /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 269, CPM2008-76, pp. 7-12, 2008年10月.
資料番号 CPM2008-76 
発行日 2008-10-23 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2008-10-30 - 2008-10-31 
開催地(和) 新潟大学 
開催地(英) Niigata Univ. 
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料、一般 
テーマ(英) Process of Thin Film formation and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2008-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Epitaxial growth of III-V nitride semiconductor films by pulse-mode hot-mesh CVD 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 窒化ガリウム / GaN  
キーワード(2)(和/英) 窒化アルミニウム / AlN  
キーワード(3)(和/英) 間欠供給 / Alternating supply  
キーワード(4)(和/英) / Intermittent supply  
キーワード(5)(和/英) / Ru  
キーワード(6)(和/英) / W-mesh  
キーワード(7)(和/英) / Hot-mesh CVD  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小前 泰彰 / Yasuaki Komae / コマエ ヤスアキ
第1著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ of Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 健 / Takeshi Saitou / サイトウ タケシ
第2著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ of Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ
第3著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所 (略称: 東北大)
Center of Interdisciplinary Research of Tohoku University (略称: CIR of Tohoku Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 隆 / Takashi Ito / イトウ タカシ
第4著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所 (略称: 東北大)
Center of Interdisciplinary Research of Tohoku University (略称: CIR of Tohoku Univ)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ
第5著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所 (略称: 東北大)
Center of Interdisciplinary Research of Tohoku University (略称: CIR of Tohoku Univ)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第6著者 所属(和/英) 弘前大学大学院理工学研究科 (略称: 弘前大)
Faculty of Science & Technology of Hirosaki University (略称: FST of Hirosaki Univ)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 成田 克 / Yuzuru Narita / ナリタ ユズル
第7著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. of Tech.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 雅介 / Masasuke Takata / タカタ マサスケ
第8著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ of Tech)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ
第9著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ of Tech)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤羽 正志 / Tadashi Akahane / アカハネ タダシ
第10著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ of Tech)
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講演者
発表日時 2008-10-30 13:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2008-76 
巻番号(vol) IEICE-108 
号番号(no) no.269 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-CPM-2008-10-23 


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