講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-10-23 16:45
ミリ波帯CMOSパワーアンプ ○鈴木俊秀・川野陽一・佐藤 優・廣瀬達哉・原 直紀・常信和清(富士通研) EMCJ2008-67 MW2008-111 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2008-111 |
抄録 |
(和) |
あらまし ミリ波帯で設計可能なトランジスタの独自モデルとパラメータの開発、さらに配線ロスを低減する整合回路設計技術を用いて、90nm CMOSによるミリ波帯パワーアンプを実現した.出力特性は77GHzにおいて線形利得9.7dB、飽和出力10.4dBmを達成した.パワーアンプの実現により、ミリ波トランシーバーのCMOSによる1チップ化の可能性が開けた. |
(英) |
This paper introduces millimeter-wave band power amplifiers (PAs) using standard 90nm CMOS technology. By developing an accurate transistor model up to 80GHz and a matching network topology with short stub, we have succeeded at 77GHz operation of CMOS PAs. The 4-stage single PA achieved 9.7-dB linear gain and 10.4-dBm saturated output power (Psat). |
キーワード |
(和) |
ミリ波 / パワーアンプ / CMOS / / / / / |
(英) |
millimeter-wave / Power amplifier / CMOS / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 257, MW2008-111, pp. 47-51, 2008年10月. |
資料番号 |
MW2008-111 |
発行日 |
2008-10-16 (EMCJ, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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