講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-10-10 14:30
Impact of Fully Depleted Silicon-On-Insulator Accumualation-mode CMOS on Si(110) ○Ching Foa Tye・Weitao Cheng・Akinobu Teramoto・Shigetoshi Sugawa・Tadahiro Ohmi(Tohoku Univ.) SDM2008-164 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-164 |
抄録 |
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This paper demonstrates the characteristic of Accumulation-mode Fully Depleted Silicon-On-Insulator (Acc-FD-SOI) MOSFETs fabricated on Si(110). Acc-FD-SOI-nMOSFET’s current drivability is 1.2 times higher than conventional Inversion-mode Fully Depleted Silicon-On-Insulator ( Inv-FD-SOI) MOSFETs. The current drivability of nMOSFET and pMOSFET is perfectly equavelent by implementing Accumlation-mode device structure to nMOSFETs on Si(110). A novel CMOS inverter consisted of Inversion-mode pMOSFET and Accumulation-mode nMOSFET shows good characteristic and occupy only half of the area on silicon compared to conventional inverter fabricated on Si(100). |
キーワード |
(和) |
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Silicon-On-Insulator / Accumulation mode / CMOS / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 236, SDM2008-164, pp. 51-56, 2008年10月. |
資料番号 |
SDM2008-164 |
発行日 |
2008-10-02 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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