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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-10-10 13:00 B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性 ○川崎洋司・遠藤誠一・北澤雅志・丸山祥輝・山下朋弘・黒井 隆・吉村秀文・米田昌弘（ルネサステクノロジ）  SDM2008-161 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-161 |
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| 抄録 | （和） | B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性を調べた。ミリ秒アニールとスパイクアニールのフローを持つPMOSFETにおいて、SDE注入を従来のBF2からB18HXに置き換えることが可能であることがわかった。さらにミリ秒アニール単独の条件ではシート抵抗、接合深さ、接合リーク電流の観点からB18HX注入がB注入、BF2注入およびGe-PAI をともなうB注入の条件と比べて有利であることがわかった。 |
| （英） | We investigated the application properties of cluster implantation for milli-second annealing processing. We successfully replaced BF2 with B18H22 to SDE implantation in pMOSFETs with the activation processing of MSA and spike-RTA. In the activation processing with only MSA, we found that B18H22 implant is more advantageous from the viewpoint of Rs, Xj and leakage current, compared to B, BF2 and B with Ge-PAI. | |
| キーワード | （和） | イオン注入 / 極低エネルギー / B18H22 / ミリ秒アニール / スパイクアニール / / / |
| （英） | ion implantation / ultra low energy / B18H22 / millisecond annealing / spike annealing / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 236, SDM2008-161, pp. 37-40, 2008年10月. | |
| 資料番号 | SDM2008-161 | |
| 発行日 | 2008-10-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-161 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-161 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-10-09 - 2008-10-10 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and Novel Process Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Application Property of B18H22 Implantation for Millisecond Annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(2)（和/英） | 極低エネルギー / ultra low energy |
| キーワード(3)（和/英） | B18H22 / B18H22 |
| キーワード(4)（和/英） | ミリ秒アニール / millisecond annealing |
| キーワード(5)（和/英） | スパイクアニール / spike annealing |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川崎 洋司 / Yoji Kawasaki / カワサキ ヨウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 誠一 / Seiichi Endo / センドウ セイイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北澤 雅志 / Masashi Kitazawa / キタザワ マサシ |
| 第3著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸山 祥輝 / Yoshiki Maruyama / マルヤマ ヨシキ |
| 第4著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 朋弘 / Tomohiro Yamashita / ヤマシタ トモヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒井 隆 / Takashi Kuroi / クロイ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉村 秀文 / Hidefumi Yoshimura / ヨシムラ ヒデフミ |
| 第7著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 米田 昌弘 / Masahiro Yoneda / ヨネダ マサヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology (略称： Renesas) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-10-10 13:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-161 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.236 |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-10-02 (SDM) |
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