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講演抄録/キーワード
講演名 2008-10-09 14:30
エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化
沼田雅之黒木伸一郎藤井俊太朗小谷光司伊藤隆司東北大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-151
抄録 (和) CWレーザアニールはガラス基板上でグレインサイズ20×2 µm2の大粒径poly-Si薄膜を得ることができ、TFTの高性能化に有効である。しかし、この結晶化によりSi薄膜表面に数十nmの凹凸が形成される。これを平坦化するために、化学的機械的平坦化を検討したので報告する。 
(英) CW laser crystallization of amorphous silicon films is a promising method to realize thin film transistor with high performance. However, the laser crystallized silicon films have large surface roughness. In this paper, a chemical mechanical polishing of laser crystallized Si films was reported.
キーワード (和) CMP / レーザ結晶化 / TFT / / / / /  
(英) CMP / laser crystallization / TFT / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 236, SDM2008-151, pp. 13-16, 2008年10月.
資料番号 SDM2008-151 
発行日 2008-10-02 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2008-10-09 - 2008-10-10 
開催地(和) 東北大学 
開催地(英) Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and Novel Process Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Planarization of CW laser crystallized Si thin films by chemical mechanical polishing using slurry with ethyl alcohol 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CMP / CMP  
キーワード(2)(和/英) レーザ結晶化 / laser crystallization  
キーワード(3)(和/英) TFT / TFT  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 沼田 雅之 / Masayuki Numata / ヌマタ マサユキ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒木 伸一郎 / Shin-Ichiro Kuroki / クロキ シンイチロウ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤井 俊太朗 / Shuntaro Fujii / フジイ シュンタロウ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小谷 光司 / Koji Kotani / コタニ コウジ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 隆司 / Takashi Ito / イトウ タカシ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2008-10-09 14:30:00 
発表時間 30 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2008-151 
巻番号(vol) IEICE-108 
号番号(no) no.236 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2008-10-02 


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