| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-08-04 16:15 ペンタセン薄膜形成と有機トランジスタへの応用 ○夛田芳広・山田真也・植杉克弘・福田 永（室蘭工大）  CPM2008-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2008-46 |
|
| 抄録 | （和） | 真空蒸着法によりペンタセン薄膜を形成し，X線回折法および原子間力顕微鏡により膜構造を観察した．次にペンタセンを用いた有機薄膜トランジスタ(OTFT)を作製し基本動作の確認を行った，作製したOTFTは最大で $1.57\times10^{-1} \mathrm{cm^2/Vs}$ のキャリア移動度が得られた．さらに，ペンタセンOTFTを用いてメモリデバイスの作製を試みた． |
| （英） | We have fabricated an organic thin film transistor (OTFT) with an active layer of pentacene thin film evaporated by vacuum evaporation method. The structural properties of the pentacene thin films were characterized by X-ray diffraction and atomic force microscopy. The OTFT indicate the maximum field effect mobility of $1.57\times10^{-1} \mathrm{cm^2/Vs}$. In addition, the application to the memory device that used the pntacene OTFT was performed. | |
| キーワード | （和） | 有機薄膜 / ペンタセン薄膜 / 薄膜トランジスタ / / / / / |
| （英） | Organic Thin Film / pentacene thin film / Thin film Transistor / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 178, CPM2008-46, pp. 23-26, 2008年8月. | |
| 資料番号 | CPM2008-46 | |
| 発行日 | 2008-07-28 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2008-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2008-46 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2008-08-04 - 2008-08-04 |
| 開催地（和） | 室蘭工業大学 |
| 開催地（英） | Muroran Institute of Technology |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | Electronic Component Parts and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2008-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ペンタセン薄膜形成と有機トランジスタへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Pentacene Thin Film Formation and Application to Organic Transistor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機薄膜 / Organic Thin Film |
| キーワード(2)（和/英） | ペンタセン薄膜 / pentacene thin film |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin film Transistor |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 夛田 芳広 / Yoshihiro Tada / タダ ヨシヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学 (略称： 室蘭工大) Muroran Institute of Technology (略称： Muroran Inst. Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 真也 / Shinya Yamada / ヤマダ シンヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学 (略称： 室蘭工大) Muroran Institute of Technology (略称： Muroran Inst. Technol.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 植杉 克弘 / Katsuhiro Uesugi / ウエスギ カツヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学 (略称： 室蘭工大) Muroran Institute of Technology (略称： Muroran Inst. Technol.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 永 / Hisashi Fukuda / フクダ ヒサシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学 (略称： 室蘭工大) Muroran Institute of Technology (略称： Muroran Inst. Technol.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-08-04 16:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2008-46 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.178 |
| ページ範囲 | pp.23-26 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-07-28 (CPM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]