講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-08-04 14:25
スパッタ法により作製した炭素薄膜の電界電子放出特性 ○宮崎 慶・田口義之・斉藤裕史・宮永琢也・山上朋彦・林部林平・上村喜一(信州大) CPM2008-42 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2008-42 |
抄録 |
(和) |
スパッタ堆積した炭素薄膜の電界電子放出特性について検討した.比較的高い圧力下で堆積することにより,閾値電界の低い電界電子放出特性が得られた.放出電流が電界に対して飽和する傾向が見られた.この原因について検討し,膜の直列抵抗分の影響が大きいことを示した |
(英) |
The field emission characteristics of sputter deposited carbon films were measured and discussed. The low threshold field was obtained in the field emission characteristics of the sample deposited under rather high sputtering pressure of about 150 mTorr. The emission current saturated at high field region. The one of the reasons of this phenomenon was found to be field re-distribution caused by potential drop resulted from series resistance of current paths. |
キーワード |
(和) |
電界電子放出 / 炭素薄膜 / 直列抵抗 / スパッタ / / / / |
(英) |
field emission / carbon film / series resistanc / sputtering / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 178, CPM2008-42, pp. 5-8, 2008年8月. |
資料番号 |
CPM2008-42 |
発行日 |
2008-07-28 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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