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講演抄録/キーワード
講演名 2008-07-17 10:30
プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM
薮内 誠新居浩二塚本康正大林茂樹今岡 進ルネサステクノロジ)・山上由展石倉 聡寺野登志夫里見勝治赤松寛範松下電器)・篠原尋文ルネサステクノロジエレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-131 ICD2008-41
抄録 (和) 微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシスト回路と階層化ライトアシスト回路を開発した。45nmLSTPテクノロジでセルサイズ0.245 mm2と0.327 mm2の二種類についてこの技術を搭載したSRAM512Kbを試作し、SNMが120mV、Writeマージンが15%改善したことを確認した。 
(英) We develop 512 Kb SRAM module in 45 nm LSTP CMOS technology with the variation tolerant assist circuits against process and temperature. We introduce a passive resistance to the read assist circuit, and adopt the divided VDD line in the memory cell array to the write assist circuit. The SRAM cell areas with 0.245 μm2 and 0.327μm2 are fabricated. From the measurements, we show that, by using our circuitry, the SNM exceeds 120 mV and the write margin is improved by 15% in the worst PVT condition.
キーワード (和) SRAM / アシスト回路 / 45nm CMOS / ばらつき / / / /  
(英) SRAM / Assist circuit / 45nm CMOS / Variability / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 140, ICD2008-41, pp. 17-22, 2008年7月.
資料番号 ICD2008-41 
発行日 2008-07-10 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2008-07-17 - 2008-07-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2008-07-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 45 nm Low-Standby-Power Embedded SRAM with Improved Immunity Against Process and Temperature Variations 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(2)(和/英) アシスト回路 / Assist circuit  
キーワード(3)(和/英) 45nm CMOS / 45nm CMOS  
キーワード(4)(和/英) ばらつき / Variability  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 薮内 誠 / Makoto Yabuuchi / ヤブウチ マコト
第1著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第2著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 塚本 康正 / Yasumasa Tsukamoto / ツカモト ヤスマサ
第3著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大林 茂樹 / Shigeki Ohbayashi / オオバヤシ シゲキ
第4著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 今岡 進 / Susumu Imaoka / イマオカ ススム
第5著者 所属(和/英) ルネサスデザイン (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Design Corp. (略称: Renesas Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山上 由展 / Yoshinobu Yamagami / ヤマガミ ヨシノブ
第6著者 所属(和/英) 松下電器産業 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Elec.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 石倉 聡 / Satoshi Ishikura / イシクラ サトシ
第7著者 所属(和/英) 松下電器産業 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Elec.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺野 登志夫 / Toshio Terano / テラノ トシオ
第8著者 所属(和/英) 松下電器産業 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Elec.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 里見 勝治 / Katsuji Satomi / サトミ カツジ
第9著者 所属(和/英) 松下電器産業 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Elec.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤松 寛範 / Hironori Akamatsu / アカマツ ヒロノリ
第10著者 所属(和/英) 松下電器産業 (略称: 松下電器)
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Elec.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 篠原 尋文 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ
第11著者 所属(和/英) ルネサステクノロジ (略称: ルネサステクノロジ)
Renesas Technology Corp. (略称: Renesas Tech.)
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講演者
発表日時 2008-07-17 10:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-SDM2008-131,IEICE-ICD2008-41 
巻番号(vol) IEICE-108 
号番号(no) no.139(SDM), no.140(ICD) 
ページ範囲 pp.17-22 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2008-07-10,IEICE-ICD-2008-07-10 


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