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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-17 14:00 ［特別講演］微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向 ○平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）・竹内 潔・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Arifin T.P.（東大）・西田彰男・蒲原史朗（MIRAI-Selete）  SDM2008-135 ICD2008-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-135 ICD2008-45 |
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| 抄録 | （和） | 微細トランジスタの特性ばらつきは，半導体技術のおける最大の問題の一つである．最先端の65nm技術におけるトランジスタの特性ばらつきの現状とばらつき要因解析の詳細についてまとめた．主な成果は下記のとおりである．(1) 100万トランジスタのアレーを作成しNMOS, PMOSともにトランジスタのしきい値電圧のばらつきは±5σの範囲で正規分布であることを明らかにした．(2) デバイスサイズのみでなくVTHやTINVに対して正規化する新しいしきい値電圧ばらつきの評価法（竹内プロット）を考案した．(3) この手法を用いて世代や工場のことなるトランジスタの特性ばらつきを比較し，PMOSのばらつきは離散不純物揺らぎでほぼ説明できるが，NMOSは原因不明のばらつき要因により特性ばらつきが大きくなっていることを初めて明らかにした． |
| （英） | The variability is one of the most critical issues for further miniaturization of MOS transistors. Although the variability may place the limit of MOS transistor scaling, the origins of characteristics variation of MOS transistors have not been fully understood. Intensive and extensive investigations have been performed in order to elucidate the origins of random variation in scaled MOSFETs in framework of the MIRAI Project. The main achievements are: (1) Designed 1M device-matrix-array TEG and found that VTH distributions of both nFETs and pFETs show high normality in the range of ±5σ, (2) Developed a new normalization method of Vth fluctuations in terms not only of device size but also of VTH and TINV (Takeuchi Plot), and (3) Compared the Vth fluctuation data in different technologies and fabs using Takeuchi Plot and found that pFET fluctuations can be almost fully explained by discrete dopant fluctuations while nFET has some fluctuation mechanisms other than dopant fluctuations. | |
| キーワード | （和） | MOSFET / しきい値電圧 / ランダム不純物揺らぎ / ペルグロムプロット / 竹内プロット / / / |
| （英） | MOSFET / Variability / Threshold voltage / Random dopant fluctuation / Pelgrom plot / Takeuchi plot / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 139, SDM2008-135, pp. 41-46, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-135 | |
| 発行日 | 2008-07-10 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-135 ICD2008-45 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-135 ICD2008-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2008-07-17 - 2008-07-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Present Status and Future Trend of Characteristic Variations in Scaled CMOS |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | しきい値電圧 / Variability |
| キーワード(3)（和/英） | ランダム不純物揺らぎ / Threshold voltage |
| キーワード(4)（和/英） | ペルグロムプロット / Random dopant fluctuation |
| キーワード(5)（和/英） | 竹内プロット / Pelgrom plot |
| キーワード(6)（和/英） | / Takeuchi plot |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学/MIRAI-Selete (略称： 東大/MIRAI-Selete) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo/MIRAI-Selete) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi / * |
| 第2著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) /MIRAI-Selete (略称： /MIRAI-Selete) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角村 貴昭 / Takaaki Tsunomura / * |
| 第3著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) /MIRAI-Selete (略称： /MIRAI-Selete) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Arifin T.P. / Arifin T.Putra / * |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西田 彰男 / Akio Nishida / * |
| 第5著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) /MIRAI-Selete (略称： /MIRAI-Selete) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara / * |
| 第6著者 所属（和/英） | MIRAI-Selete (略称： MIRAI-Selete) /MIRAI-Selete (略称： /MIRAI-Selete) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-17 14:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-135, ICD2008-45 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.139(SDM), no.140(ICD) |
| ページ範囲 | pp.41-46 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-07-10 (SDM, ICD) |
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