講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-07-17 15:55
カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design ~ カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには? ~ ○藤田 忍(東芝) SDM2008-138 ICD2008-48 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-138 ICD2008-48 |
抄録 |
(和) |
将来、シリコン(Si)CMOSを置き換える新材料(ポストSi)素子が期待される。本論文では、素子と回路のCo-designの観点から、種種の半導体材料を比較し、カーボンナノチューブ(CNT)が最も有力な候補の一つであることを述べる。さらに、CNTを使った2種類の素子、つまりトランジスタ(CNFET)と、ナノスケールの電気機械的スイッチ素子(NEMS)が、いくつかの具体的な回路でCMOSを凌駕するための要件を分析した。 |
(英) |
Emerging devices using new materials (post-Si) are expected to replace Si-based MOSFET in future. This paper firstly clarifies carbon-nanotube (CNT) is the most promising candidate for it by analyzing based on “co-design” of future CMOS. Also, this paper assesses requirement for two kinds of CNT-based devices, FETs (CNFET) and nano-electromechanical-switches (NEMS), to be beyond Si based CMOS performance of some circuits. |
キーワード |
(和) |
カーボンナノチューブ / カーボンナノチューブトランジスタ / メカニカルスイッチ / MEMSスイッチ / ポストシリコン / / / |
(英) |
Carbon nanotube / CNT / CNFET / NEMS / post-Si / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 140, ICD2008-48, pp. 59-64, 2008年7月. |
資料番号 |
ICD2008-48 |
発行日 |
2008-07-10 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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