講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-07-11 14:50
熱CVD成長SiN保護膜を用いたSiC基板上AlGaN/GaN-HEMT ○大来英之・星 真一・丸井俊治・伊藤正紀・戸田典彦・森野芳昭・玉井 功・佐野芳明・関 昇平(OKI) ED2008-105 SDM2008-124 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-105 SDM2008-124 |
抄録 |
(和) |
(まだ登録されていません) |
(英) |
Current collapse phenomenon is a big obstacle in the AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs), since they have a strong relativity to high efficiency operation in RF power characteristics. To solve this problem, we investigated the SiN deposited by thermal chemical vapor deposition (T-CVD) for AlGaN/GaN-HEMTs passivation film, and DC and RF characteristics were compared with those of conventional AlGaN/GaN-HEMTs with plasma enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) SiN passivation film. We found out that T-CVD SiN passivation film improves three-terminal off-state breakdown voltage (BVds-off) by 30 % because of the reduction of gate leakage current. In the load-pull power measurement, drain efficiency (n d) was also improved which indicates the decrease of the current collapse phenomenon. Finally we fabricated a multi-fingered 50 W-class AlGaN/GaN-HEMT with T-CVD SiN passivation film and achieved 61.2 % of high drain efficiency at frequency of 2.14 GHz, which was 3 points higher than those with PE-CVD SiN passivation film. |
キーワード |
(和) |
/ / / / / / / |
(英) |
AlGaN/GaN-HEMTs / Current collapse / SiN / Passivation film / Thermal CVD / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-124, pp. 341-345, 2008年7月. |
資料番号 |
SDM2008-124 |
発行日 |
2008-07-02 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2008-105 SDM2008-124 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-105 SDM2008-124 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM ED |
開催期間 |
2008-07-09 - 2008-07-11 |
開催地(和) |
かでる2・7(札幌) |
開催地(英) |
Kaderu2・7 |
テーマ(和) |
第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
テーマ(英) |
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2008-07-SDM-ED |
本文の言語 |
英語(日本語タイトルあり) |
タイトル(和) |
熱CVD成長SiN保護膜を用いたSiC基板上AlGaN/GaN-HEMT |
サブタイトル(和) |
|
タイトル(英) |
AlGaN/GaN-HEMTs on SiC with SiN Passivation Film Grown by Thermal CVD |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
/ AlGaN/GaN-HEMTs |
キーワード(2)(和/英) |
/ Current collapse |
キーワード(3)(和/英) |
/ SiN |
キーワード(4)(和/英) |
/ Passivation film |
キーワード(5)(和/英) |
/ Thermal CVD |
キーワード(6)(和/英) |
/ |
キーワード(7)(和/英) |
/ |
キーワード(8)(和/英) |
/ |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大来 英之 / Hideyuki Okita / オオキタ ヒデユキ |
第1著者 所属(和/英) |
沖電気工業株式会社研究開発本部 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd Research & Development Center (略称: OKI Electric Industry) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
星 真一 / Shinichi Hoshi / ホシ シンイチ |
第2著者 所属(和/英) |
沖電気工業株式会社 研究開発本部 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd Research & Development Center (略称: OKI Electric Industry) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
丸井 俊治 / Toshiharu Marui / マルイ トシハル |
第3著者 所属(和/英) |
沖電気工業株式会社研究開発本部 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd Research & Development Center (略称: OKI Electric Industry) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
伊藤 正紀 / Masanori Itoh / イトウ マサノリ |
第4著者 所属(和/英) |
沖電気工業株式会社研究開発本部 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd Research & Development Center (略称: OKI Electric Industry) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
戸田 典彦 / Fumihiko Toda / トダ フミヒコ |
第5著者 所属(和/英) |
沖電気工業株式会社研究開発本部 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd Research & Development Center (略称: OKI Electric Industry) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
森野 芳昭 / Yoshiaki Morino / モリノ ヨシアキ |
第6著者 所属(和/英) |
沖電気工業株式会社研究開発本部 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd Research & Development Center (略称: OKI Electric Industry) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
玉井 功 / Isao Tamai / タマイ イサオ |
第7著者 所属(和/英) |
沖電気工業株式会社研究開発本部 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd Research & Development Center (略称: OKI Electric Industry) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
佐野 芳明 / Yoshiaki Sano / サノ ヨシアキ |
第8著者 所属(和/英) |
沖電気工業株式会社研究開発本部 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd Research & Development Center (略称: OKI Electric Industry) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
関 昇平 / Shohei Seki / セキ ショウヘイ |
第9著者 所属(和/英) |
沖電気工業株式会社研究開発本部 (略称: OKI)
Oki Electric Industry Co., Ltd Research & Development Center (略称: OKI Electric Industry) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第10著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第11著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第12著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第13著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第14著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第15著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第16著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第17著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第18著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第19著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第20著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2008-07-11 14:50:00 |
発表時間 |
15分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
ED2008-105, SDM2008-124 |
巻番号(vol) |
vol.108 |
号番号(no) |
no.121(ED), no.122(SDM) |
ページ範囲 |
pp.341-345 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2008-07-02 (ED, SDM) |