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| 講演名 | 2008-07-11 13:50 SiC MESFET Power Amplifier for 3.6 GHz-3.8 GHz WiMAX Application ○Jae-Kwon Kim・Kyunghwan Kim・Jinwook Burn（Sogang Univ.）  ED2008-99 SDM2008-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-99 SDM2008-118 |
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| 抄録 | （和） | Silicon-carbide (SiC) devices have received increased attention for high-power, high-speed, high temperature, and radiation-hard applications due to their superior properties, including wide band-gap, high saturated electron velocity, high breakdown electric field strength, and high thermal conductivity. The high breakdown field allows silicon carbide devices to operate at much higher voltages than silicon (Si) or gallium-arsenide (GaAs) devices and to have significant RF output power at high temperatures. The high thermal conductivity implies that silicon carbide has high-power handling capability. This paper describes the two-stage 5 W broadband power amplifiers using a commercially available silicon carbide Metal Semiconductor Field Effect Transistors (MESFETs), Cree CRF-24010F. The frequency range covers 3.6 GHz to 3.8 GHz for using WiMAX base-station application. The 2nd and 3rd order harmonic cancellation technique was introduced to obtain high linearity. A cascade topology was employed to increase isolation and stability throughout the bandwidth. At VDS = 24 V and IDS = 840 mA (two stage), 10 。セ 1 dB power gain, average 37 dBm (5 W) output power, 24 % power added efficiency have been achieved in the two-stage design. The results are being discussed and compared with simulations. |
| （英） | Silicon-carbide (SiC) devices have received increased attention for high-power, high-speed, high temperature, and radiation-hard applications due to their superior properties, including wide band-gap, high saturated electron velocity, high breakdown electric field strength, and high thermal conductivity. The high breakdown field allows silicon carbide devices to operate at much higher voltages than silicon (Si) or gallium-arsenide (GaAs) devices and to have significant RF output power at high temperatures. The high thermal conductivity implies that silicon carbide has high-power handling capability. This paper describes the two-stage 5 W broadband power amplifiers using a commercially available silicon carbide Metal Semiconductor Field Effect Transistors (MESFETs), Cree CRF-24010F. The frequency range covers 3.6 GHz to 3.8 GHz for using WiMAX base-station application. The 2nd and 3rd order harmonic cancellation technique was introduced to obtain high linearity. A cascade topology was employed to increase isolation and stability throughout the bandwidth. At VDS = 24 V and IDS = 840 mA (two stage), 10 。セ 1 dB power gain, average 37 dBm (5 W) output power, 24 % power added efficiency have been achieved in the two-stage design. The results are being discussed and compared with simulations. | |
| キーワード | （和） | Silicon carbide MESFET / WiMAX / Power Amplifier / / / / / |
| （英） | Silicon carbide MESFET / WiMAX / Power Amplifier / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-118, pp. 313-316, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-118 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-99 SDM2008-118 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-99 SDM2008-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | SiC MESFET Power Amplifier for 3.6 GHz-3.8 GHz WiMAX Application |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Silicon carbide MESFET / Silicon carbide MESFET |
| キーワード(2)（和/英） | WiMAX / WiMAX |
| キーワード(3)（和/英） | Power Amplifier / Power Amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Jae-Kwon Kim / Jae-Kwon Kim / |
| 第1著者 所属（和/英） | Sogang University (略称： Sogang Univ.) Sogang University (略称： Sogang Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Kyunghwan Kim / Kyunghwan Kim / |
| 第2著者 所属（和/英） | Sogang University (略称： Sogang Univ.) Sogang University (略称： Sogang Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Jinwook Burn / Jinwook Burn / |
| 第3著者 所属（和/英） | Sogang University (略称： Sogang Univ.) Sogang University (略称： Sogang Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-11 13:50:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2008-99, SDM2008-118 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.313-316 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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