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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-11 15:20 Characterization of Ni/i-AlGaN/GaN Schottky Samples Fabricated after H3PO4-Etching ○Takayuki Sawada・Yuta Kaizuka・Kensuke Takahashi・Kazuaki Imai（Hokkaido Inst. of Tech.）  ED2008-107 SDM2008-126 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-107 SDM2008-126 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | Electrical properties of bare i-AlGaN/GaN and Ni/i-AlGaN/GaN Schottky samples with various thickness of the AlGaN layer, prepared by wet-etching in a hot-H3PO4, were systematically investigated by Hall effect, I-V and C-V measurements. For the bare samples, the thinner the AlGaN layer, the lower 2DEG density according to the theoretical curve with a constant surface barrier height. For Schottky samples, both forward and reverse currents increase with decreasing the AlGaN layer, and the behavior can be explained by combined leakage currents due to leaky patches and simple tunneling through the barrier. C-V measurements supported fairly uniform etching of the AlGaN layer. | |
| キーワード | （和） | 窒化ガリウム / AlGaN/GaNへテロ構造 / ショットキー / 電気的特性 / ウェットエッチング / / / |
| （英） | GaN / AlGaN/GaN Heterostructure / Schottky / Electrical Property / Wet-Etching / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 121, ED2008-107, pp. 351-355, 2008年7月. | |
| 資料番号 | ED2008-107 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-107 SDM2008-126 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-107 SDM2008-126 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Ni/i-AlGaN/GaN Schottky Samples Fabricated after H3PO4-Etching |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN/GaNへテロ構造 / AlGaN/GaN Heterostructure |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキー / Schottky |
| キーワード(4)（和/英） | 電気的特性 / Electrical Property |
| キーワード(5)（和/英） | ウェットエッチング / Wet-Etching |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 澤田 孝幸 / Takayuki Sawada / サワダ タカユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道工業大学 (略称： 北海道工大) Hokkaido Institute of Technology (略称： Hokkaido Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 貝塚 悠太 / Yuta Kaizuka / カイズカ ユウタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道工業大学 (略称： 北海道工大) Hokkaido Institute of Technology (略称： Hokkaido Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 健輔 / Kensuke Takahashi / タカハシ ケンスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道工業大学 (略称： 北海道工大) Hokkaido Institute of Technology (略称： Hokkaido Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今井 和明 / Kazuaki Imai / イマイ カズアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道工業大学 (略称： 北海道工大) Hokkaido Institute of Technology (略称： Hokkaido Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-11 15:20:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-107, SDM2008-126 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.351-355 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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