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講演抄録/キーワード
講演名 2008-07-11 15:05
24 GHz Low Noise Amplifier Design in 65 nm CMOS Technology with Inter-Stage Matching Optimization
Ickhyun SongHakchul JungHee-Sauk JhonMinsuk KooHyungcheol ShinSeoul National Univ.ED2008-96 SDM2008-115 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-96 SDM2008-115
抄録 (和) 2-stage 24 GHz low noise amplifier (LNA) was designed using 65 nm RF CMOS technology. Since conventional topology with inductive source degeneration provides lower signal gain at 24 GHz, a source inductor is eliminated and therefore, modified structure in which a shunt inductor was used for input matching is adopted. Figure of merit (FoM) which includes gain, noise figure, and power consumption was used as a design criterion and was maximized considering various circuit parameters such as transistor channel width of each stage, inductor structure and gate bias voltages. Also, the effect of inter-stage impedance on FoM was analyzed. And for noise simulation, accurate channel thermal noise model was used. Through these steps, FoM of 2-stage LNA was optimized. 
(英) 2-stage 24 GHz low noise amplifier (LNA) was designed using 65 nm RF CMOS technology. Since conventional topology with inductive source degeneration provides lower signal gain at 24 GHz, a source inductor is eliminated and therefore, modified structure in which a shunt inductor was used for input matching is adopted. Figure of merit (FoM) which includes gain, noise figure, and power consumption was used as a design criterion and was maximized considering various circuit parameters such as transistor channel width of each stage, inductor structure and gate bias voltages. Also, the effect of inter-stage impedance on FoM was analyzed. And for noise simulation, accurate channel thermal noise model was used. Through these steps, FoM of 2-stage LNA was optimized.
キーワード (和) Low noise amplifier / CMOS / Figure of merit / Inter-stage impedance / Noise figure / / /  
(英) Low noise amplifier / CMOS / Figure of merit / Inter-stage impedance / Noise figure / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-115, pp. 301-304, 2008年7月.
資料番号 SDM2008-115 
発行日 2008-07-02 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-96 SDM2008-115 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-96 SDM2008-115

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2008-07-09 - 2008-07-11 
開催地(和) かでる2・7(札幌) 
開催地(英) Kaderu2・7 
テーマ(和) 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) 
テーマ(英) 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-07-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 24 GHz Low Noise Amplifier Design in 65 nm CMOS Technology with Inter-Stage Matching Optimization 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Low noise amplifier / Low noise amplifier  
キーワード(2)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(3)(和/英) Figure of merit / Figure of merit  
キーワード(4)(和/英) Inter-stage impedance / Inter-stage impedance  
キーワード(5)(和/英) Noise figure / Noise figure  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) Ickhyun Song / Ickhyun Song /
第1著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Hakchul Jung / Hakchul Jung /
第2著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Hee-Sauk Jhon / Hee-Sauk Jhon /
第3著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Minsuk Koo / Minsuk Koo /
第4著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) Hyungcheol Shin / Hyungcheol Shin /
第5著者 所属(和/英) Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
Seoul National University (略称: Seoul National Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-07-11 15:05:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 ED2008-96, SDM2008-115 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.121(ED), no.122(SDM) 
ページ範囲 pp.301-304 
ページ数
発行日 2008-07-02 (ED, SDM) 


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