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講演抄録/キーワード
講演名 2008-07-11 11:20
The Analysis of the Floating Field Limiting Ring and Field Plate
Chien-Nan LiaoNational Central Univ.)・Jhih-Chao HuangFeng-Tso ChienChing-Hwa ChengFeng Chia Univ.)・Yao-Tsung TsaiNational Central Univ.ED2008-75 SDM2008-94 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-75 SDM2008-94
抄録 (和) Potential and strength of surface electric field distribution have strongly influence on breakdown voltage and reliability of power semiconductor devices. Potential distribution can be determined by different field-limiting ring and field plate design which can be described by solving Poisson。ヲs equation in one dimension briefly. In this paper, the influence of design factors such as spacing between main junction and ring, ring width, and field plate width on potential and strength of surface electric field distribution are analyzed. From the simulation results, the relationship between those factors and potential and strength of surface electric field distribution can be found. Understanding the effect of design factors upon the junction termination edge, multi floating field-limiting rings and field plates of high breakdown power devices can be designed. 
(英) Potential and strength of surface electric field distribution have strongly influence on breakdown voltage and reliability of power semiconductor devices. Potential distribution can be determined by different field-limiting ring and field plate design which can be described by solving Poisson。ヲs equation in one dimension briefly. In this paper, the influence of design factors such as spacing between main junction and ring, ring width, and field plate width on potential and strength of surface electric field distribution are analyzed. From the simulation results, the relationship between those factors and potential and strength of surface electric field distribution can be found. Understanding the effect of design factors upon the junction termination edge, multi floating field-limiting rings and field plates of high breakdown power devices can be designed.
キーワード (和) Termination / Floating field limiting ring / Field plate / Potential / Electric field / / /  
(英) Termination / Floating field limiting ring / Field plate / Potential / Electric field / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-94, pp. 187-191, 2008年7月.
資料番号 SDM2008-94 
発行日 2008-07-02 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-75 SDM2008-94 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-75 SDM2008-94

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2008-07-09 - 2008-07-11 
開催地(和) かでる2・7(札幌) 
開催地(英) Kaderu2・7 
テーマ(和) 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) 
テーマ(英) 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-07-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) The Analysis of the Floating Field Limiting Ring and Field Plate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Termination / Termination  
キーワード(2)(和/英) Floating field limiting ring / Floating field limiting ring  
キーワード(3)(和/英) Field plate / Field plate  
キーワード(4)(和/英) Potential / Potential  
キーワード(5)(和/英) Electric field / Electric field  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) Chien-Nan Liao / Chien-Nan Liao /
第1著者 所属(和/英) National Central University (略称: National Central Univ.)
National Central University (略称: National Central Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Jhih-Chao Huang / Jhih-Chao Huang /
第2著者 所属(和/英) Feng Chia University (略称: Feng Chia Univ.)
Feng Chia University (略称: Feng Chia Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Feng-Tso Chien / Feng-Tso Chien /
第3著者 所属(和/英) Feng Chia University (略称: Feng Chia Univ.)
Feng Chia University (略称: Feng Chia Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Ching-Hwa Cheng / Ching-Hwa Cheng /
第4著者 所属(和/英) Feng Chia University (略称: Feng Chia Univ.)
Feng Chia University (略称: Feng Chia Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) Yao-Tsung Tsai / Yao-Tsung Tsai /
第5著者 所属(和/英) National Central University (略称: National Central Univ.)
National Central University (略称: National Central Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-07-11 11:20:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 ED2008-75, SDM2008-94 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.121(ED), no.122(SDM) 
ページ範囲 pp.187-191 
ページ数
発行日 2008-07-02 (ED, SDM) 


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