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講演抄録/キーワード
講演名 2008-07-10 09:45
Design of Unique two-bit/cell SONOS Flash Memory Device Utilizing an Advanced Saddle Structure
Sang-Su ParkSe Woong OhKyeong Rok KimHyun Joo KimTae Whan KimKae Dal KwackHanyang Univ.ED2008-57 SDM2008-76 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-57 SDM2008-76
抄録 (和) Unique two-bit/cell SONOS devices separated from the ONOs utilizing an advanced saddle structure with the separated gates, denoted by the advanced saddle SONOS (AS-SONOS) devices, were designed to increase storage density of the memory devices. The decrease in the charge distribution profile and the increase in the data retention time of the SONOS device were achieved due to the formation of the divided storage nitride layer. The program and the erase characteristics of the Fowler-Nordheim tunneling processes were estimated to verify unique two-bit/cell SONOS devices. The memory density, the reading speed, and the programming speeds of the proposed two-bit/cell SONOS increased due to an increase in the captured charge of the SONOS cell. These results indicate that the two-bit/cell SONOS devices designed by using the advanced saddle structure hold promise for potential applications in high-density nonvolatile memory devices. 
(英) Unique two-bit/cell SONOS devices separated from the ONOs utilizing an advanced saddle structure with the separated gates, denoted by the advanced saddle SONOS (AS-SONOS) devices, were designed to increase storage density of the memory devices. The decrease in the charge distribution profile and the increase in the data retention time of the SONOS device were achieved due to the formation of the divided storage nitride layer. The program and the erase characteristics of the Fowler-Nordheim tunneling processes were estimated to verify unique two-bit/cell SONOS devices. The memory density, the reading speed, and the programming speeds of the proposed two-bit/cell SONOS increased due to an increase in the captured charge of the SONOS cell. These results indicate that the two-bit/cell SONOS devices designed by using the advanced saddle structure hold promise for potential applications in high-density nonvolatile memory devices.
キーワード (和) SONOS / advanced saddle / two-bit/cell / storage density / / / /  
(英) SONOS / advanced saddle / two-bit/cell / storage density / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-76, pp. 89-93, 2008年7月.
資料番号 SDM2008-76 
発行日 2008-07-02 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-57 SDM2008-76 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-57 SDM2008-76

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2008-07-09 - 2008-07-11 
開催地(和) かでる2・7(札幌) 
開催地(英) Kaderu2・7 
テーマ(和) 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) 
テーマ(英) 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-07-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Design of Unique two-bit/cell SONOS Flash Memory Device Utilizing an Advanced Saddle Structure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SONOS / SONOS  
キーワード(2)(和/英) advanced saddle / advanced saddle  
キーワード(3)(和/英) two-bit/cell / two-bit/cell  
キーワード(4)(和/英) storage density / storage density  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) Sang-Su Park / Sang-Su Park /
第1著者 所属(和/英) Hanyang University (略称: Hanyang Univ.)
Hanyang University (略称: Hanyang Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Se Woong Oh / Se Woong Oh /
第2著者 所属(和/英) Hanyang University (略称: Hanyang Univ.)
Hanyang University (略称: Hanyang Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Kyeong Rok Kim / Kyeong Rok Kim /
第3著者 所属(和/英) Hanyang University (略称: Hanyang Univ.)
Hanyang University (略称: Hanyang Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Hyun Joo Kim / Hyun Joo Kim /
第4著者 所属(和/英) Hanyang University (略称: Hanyang Univ.)
Hanyang University (略称: Hanyang Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) Tae Whan Kim / Tae Whan Kim /
第5著者 所属(和/英) Hanyang University (略称: Hanyang Univ.)
Hanyang University (略称: Hanyang Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) Kae Dal Kwack / Kae Dal Kwack /
第6著者 所属(和/英) Hanyang University (略称: Hanyang Univ.)
Hanyang University (略称: Hanyang Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-07-10 09:45:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 ED2008-57, SDM2008-76 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.121(ED), no.122(SDM) 
ページ範囲 pp.89-93 
ページ数
発行日 2008-07-02 (ED, SDM) 


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