| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-09 12:05 Properties of GaN MIS Capacitors Using Al2O3 as Gate Dielectric Deposited by Remote Plasma Atomic Layer Deposition ○Hyeong-Seon Yun・Ka-Lam Kim・No-Won Kwak・Woo-Seok Lee・Sang-Hyun Jeong（Cheongju Univ.）・Ju-Ok Seo（Itswell）・Kwang-Ho Kim（Cheongju Univ.）  ED2008-42 SDM2008-61 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-42 SDM2008-61 |
|
| 抄録 | （和） | Al2O3 thin films were deposited on GaN 0001) by Remote Plasma Atomic Layer Deposition (RPALD) technique using Trimethylaluminum (TMA)precursor and oxygen radicals in the temperature range of 25「ヲ500 。ノ. Growth rate per cycle was varied with substrate temperature from 1.8 。ハ/cycle at 25 。ノ to 0.8 。ハ/cycle at 500 。ノ. Excellent electrical properties of GaN MIS capacitor were obtained at 300。ノ, in terms of low electrical leakage current density (~ 10-10 A/cm2 at 1MV) at room temperature, high dielectric constant of 8.6 with the thinner oxide thickness of 12nm. Interface trap density (Dit) was estimated using high Frequency C-V method at 300 。ノ. These results show that RPALD technique is an excellent choice to deposit high quality Al2O3 as a gate dielectric in GaN based devices. |
| （英） | Al2O3 thin films were deposited on GaN 0001) by Remote Plasma Atomic Layer Deposition (RPALD) technique using Trimethylaluminum (TMA)precursor and oxygen radicals in the temperature range of 25「ヲ500 。ノ. Growth rate per cycle was varied with substrate temperature from 1.8 。ハ/cycle at 25 。ノ to 0.8 。ハ/cycle at 500 。ノ. Excellent electrical properties of GaN MIS capacitor were obtained at 300。ノ, in terms of low electrical leakage current density (~ 10-10 A/cm2 at 1MV) at room temperature, high dielectric constant of 8.6 with the thinner oxide thickness of 12nm. Interface trap density (Dit) was estimated using high Frequency C-V method at 300 。ノ. These results show that RPALD technique is an excellent choice to deposit high quality Al2O3 as a gate dielectric in GaN based devices. | |
| キーワード | （和） | Remote Plasma Atomic Layer Deposition (RPALD) / TMA / Aluminum oxide / GaN MIS capacitor / Interface trap density / / / |
| （英） | Remote Plasma Atomic Layer Deposition (RPALD) / TMA / Aluminum oxide / GaN MIS capacitor / Interface trap density / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-61, pp. 15-19, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-61 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-42 SDM2008-61 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-42 SDM2008-61 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties of GaN MIS Capacitors Using Al2O3 as Gate Dielectric Deposited by Remote Plasma Atomic Layer Deposition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Remote Plasma Atomic Layer Deposition (RPALD) / Remote Plasma Atomic Layer Deposition (RPALD) |
| キーワード(2)（和/英） | TMA / TMA |
| キーワード(3)（和/英） | Aluminum oxide / Aluminum oxide |
| キーワード(4)（和/英） | GaN MIS capacitor / GaN MIS capacitor |
| キーワード(5)（和/英） | Interface trap density / Interface trap density |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Hyeong-Seon Yun / Hyeong-Seon Yun / |
| 第1著者 所属（和/英） | Cheongju University (略称： Cheongju Univ.) Cheongju University (略称： Cheongju Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Ka-Lam Kim / Ka-Lam Kim / |
| 第2著者 所属（和/英） | Cheongju University (略称： Cheongju Univ.) Cheongju University (略称： Cheongju Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | No-Won Kwak / No-Won Kwak / |
| 第3著者 所属（和/英） | Cheongju University (略称： Cheongju Univ.) Cheongju University (略称： Cheongju Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Woo-Seok Lee / Woo-Seok Lee / |
| 第4著者 所属（和/英） | Cheongju University (略称： Cheongju Univ.) Cheongju University (略称： Cheongju Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Sang-Hyun Jeong / Sang-Hyun Jeong / |
| 第5著者 所属（和/英） | Cheongju University (略称： Cheongju Univ.) Cheongju University (略称： Cheongju Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | Ju-Ok Seo / Ju-Ok Seo / |
| 第6著者 所属（和/英） | Itswell Co. Ltd (略称： Itswell) Itswell Co. Ltd (略称： Itswell) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | Kwang-Ho Kim / Kwang-Ho Kim / |
| 第7著者 所属（和/英） | Cheongju University (略称： Cheongju Univ.) Cheongju University (略称： Cheongju Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-09 12:05:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2008-42, SDM2008-61 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.15-19 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]