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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-27 11:00 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ ○新家昭彦・松尾慎治・Ｙｏｓｉａ・田辺孝純・倉持栄一・佐藤具就・硴塚孝明・舘野功太・俵 毅彦・納富雅也（NTT）  OPE2008-21 LQE2008-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2008-21 LQE2008-22 |
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| 抄録 | （和） | 我々は、２次元フォトニック結晶(PhC)をプラットフォームとする超小型光共振器に着目し、SiをベースとするPhCにおいて極めて低パワーで動作する全光メモリを実現している。しかし、共振器で発生する熱の影響により、メモリ時間時間が数nsときわめて短いという問題があった。今回我々はこの問題を解決するため、Siに変わるPhC作製技術を開発し、AlGaAsとInGaAsPを用いた超高ＱPhCナノ共振器において、それぞれ690,000, 130,000の世界最高レベルの共振器Ｑ値を達成した。また、AlGaAs-PhC共振器のメモリ保持時間は理論的には無限、InGaAsP-PhC共振器においては最長150nsのメモリ時間を達成し、Si-PhC共振器のメモリ時間を飛躍的に延長することに成功した。さらにInGaAsP-PhC共振器において、メモリ保持に必要な最低光バイアスパワが40uW、メモリをON状態に移行させるための光パルスエネルギーが30fJ と極めて低パワー・低エネルギーで動作可能であることを確認した。 |
| （英） | We have focused on an ultra small nanocavitiy in 2D photonic crystal (PhC) platform and realized an all-optical bistable memory on a Si based PhC operating with very low power. However, it is very difficult to achieve a long memory time for a Si based PhC owing to the accumulated heat in the cavity. To solve this problem, we developed ultra high Q AlGaAs and InGaAsP based PhC nanocavitis. Their Q factors are 690,000 and 130,000 respectively, which are highest Q factor ever reported. The memory time of AlGaAs-PhC cavity is conceptually infinity. As for the InGaAsP-PhC, the longest memory time is 150 ns and minimum bias power for bistability and switching ON energy are extremely low at 40uW and 30 fJ, respectively. | |
| キーワード | （和） | フォトニック結晶 / 共振器 / 全光メモリ / 光集積回路 / / / / |
| （英） | Photonic crystal / resonator / all-optical memory / photonic integrated circuit / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 114, LQE2008-22, pp. 17-20, 2008年6月. | |
| 資料番号 | LQE2008-22 | |
| 発行日 | 2008-06-20 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2008-21 LQE2008-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2008-21 LQE2008-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE LQE |
| 開催期間 | 2008-06-27 - 2008-06-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 量子効果デバイス（光信号処理、LD、光増幅、変調等）と集積化技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-06-OPE-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | All optical memory based on compound-semiconductor photonic crystal nanocavity |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトニック結晶 / Photonic crystal |
| キーワード(2)（和/英） | 共振器 / resonator |
| キーワード(3)（和/英） | 全光メモリ / all-optical memory |
| キーワード(4)（和/英） | 光集積回路 / photonic integrated circuit |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新家 昭彦 / Akihiko Shinya / シンヤ アキヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 慎治 / Shinji Matsuo / マツオ シンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Ｙｏｓｉａ / Yosia / ヨシア |
| 第3著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田辺 孝純 / Takasumi Tanabe / タナベ タカスミ |
| 第4著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 倉持 栄一 / Eiichi Kuramochi / クラモチ エイイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 具就 / Tomonari Sato / サトウ トモナリ |
| 第6著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 硴塚 孝明 / Takaaki Kakitsuka / カキツカ タカアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 (略称： NTT) NTT Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舘野 功太 / Kouta Tateno / タテノ コウタ |
| 第8著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 俵 毅彦 / Takehiko Tawara / タワラ タケヒコ |
| 第9著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 納富 雅也 / Masaya Notomi / ノウトミ マサヤ |
| 第10著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 (略称： NTT) NTT Basic Research Laboratories (略称： NTT) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-27 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OPE2008-21, LQE2008-22 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.113(OPE), no.114(LQE) |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-06-20 (OPE, LQE) |
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