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講演抄録/キーワード
講演名 2008-06-27 11:00
化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ
新家昭彦松尾慎治Yosia田辺孝純倉持栄一佐藤具就硴塚孝明舘野功太俵 毅彦納富雅也NTTOPE2008-21 LQE2008-22 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2008-21 LQE2008-22
抄録 (和) 我々は、2次元フォトニック結晶(PhC)をプラットフォームとする超小型光共振器に着目し、SiをベースとするPhCにおいて極めて低パワーで動作する全光メモリを実現している。しかし、共振器で発生する熱の影響により、メモリ時間時間が数nsときわめて短いという問題があった。今回我々はこの問題を解決するため、Siに変わるPhC作製技術を開発し、AlGaAsとInGaAsPを用いた超高QPhCナノ共振器において、それぞれ690,000, 130,000の世界最高レベルの共振器Q値を達成した。また、AlGaAs-PhC共振器のメモリ保持時間は理論的には無限、InGaAsP-PhC共振器においては最長150nsのメモリ時間を達成し、Si-PhC共振器のメモリ時間を飛躍的に延長することに成功した。さらにInGaAsP-PhC共振器において、メモリ保持に必要な最低光バイアスパワが40uW、メモリをON状態に移行させるための光パルスエネルギーが30fJ と極めて低パワー・低エネルギーで動作可能であることを確認した。 
(英) We have focused on an ultra small nanocavitiy in 2D photonic crystal (PhC) platform and realized an all-optical bistable memory on a Si based PhC operating with very low power. However, it is very difficult to achieve a long memory time for a Si based PhC owing to the accumulated heat in the cavity. To solve this problem, we developed ultra high Q AlGaAs and InGaAsP based PhC nanocavitis. Their Q factors are 690,000 and 130,000 respectively, which are highest Q factor ever reported. The memory time of AlGaAs-PhC cavity is conceptually infinity. As for the InGaAsP-PhC, the longest memory time is 150 ns and minimum bias power for bistability and switching ON energy are extremely low at 40uW and 30 fJ, respectively.
キーワード (和) フォトニック結晶 / 共振器 / 全光メモリ / 光集積回路 / / / /  
(英) Photonic crystal / resonator / all-optical memory / photonic integrated circuit / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 114, LQE2008-22, pp. 17-20, 2008年6月.
資料番号 LQE2008-22 
発行日 2008-06-20 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード OPE2008-21 LQE2008-22 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2008-21 LQE2008-22

研究会情報
研究会 OPE LQE  
開催期間 2008-06-27 - 2008-06-27 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg 
テーマ(和) 量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2008-06-OPE-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 化合物半導体フォトニック結晶超小型共振器をベースとする全光メモリ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) All optical memory based on compound-semiconductor photonic crystal nanocavity 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) フォトニック結晶 / Photonic crystal  
キーワード(2)(和/英) 共振器 / resonator  
キーワード(3)(和/英) 全光メモリ / all-optical memory  
キーワード(4)(和/英) 光集積回路 / photonic integrated circuit  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 新家 昭彦 / Akihiko Shinya / シンヤ アキヒコ
第1著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松尾 慎治 / Shinji Matsuo / マツオ シンジ
第2著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Yosia / Yosia / ヨシア
第3著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 田辺 孝純 / Takasumi Tanabe / タナベ タカスミ
第4著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 倉持 栄一 / Eiichi Kuramochi / クラモチ エイイチ
第5著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 具就 / Tomonari Sato / サトウ トモナリ
第6著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 硴塚 孝明 / Takaaki Kakitsuka / カキツカ タカアキ
第7著者 所属(和/英) NTTフォトニクス研究所 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories (略称: NTT)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 舘野 功太 / Kouta Tateno / タテノ コウタ
第8著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 俵 毅彦 / Takehiko Tawara / タワラ タケヒコ
第9著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 納富 雅也 / Masaya Notomi / ノウトミ マサヤ
第10著者 所属(和/英) NTT物性科学基礎研究所 (略称: NTT)
NTT Basic Research Laboratories (略称: NTT)
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講演者
発表日時 2008-06-27 11:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-OPE2008-21,IEICE-LQE2008-22 
巻番号(vol) IEICE-108 
号番号(no) no.113(OPE), no.114(LQE) 
ページ範囲 pp.17-20 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-OPE-2008-06-20,IEICE-LQE-2008-06-20 


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