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| 講演名 | 2008-06-27 09:45 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用 ○斉藤泰仁・赤石昌隆・大川達也・下村和彦（上智大）  OPE2008-18 LQE2008-19 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2008-18 LQE2008-19 |
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| 抄録 | （和） | 我々は次世代デバイスへ広く応用が期待されている量子ドットについて研究を行っている．量子ドットは構造的に電子を三次元的に閉じ込めることができ，状態密度をδ関数化できる．また，量子サイズ効果を利用したサイズの制御による波長制御では従来の量子井戸構造では高さの1 次元のみであるが，量子ドットは高さ以外にも縦横の2 次元の制御が可能で，より広い範囲の波長制御が可能である．我々はこの量子ドット構造をレーザやLED に用いることで，デバイスの高効率化，広帯域波長制御などの特徴に着目し，ＷＤＭ波長分割多重システムへの応用，また長波長帯域で動作する環境ガス検知への応用を考えている．本報告では，有機金属気相成長法による選択成長技術と量子ドット成長時におけるダブルキャップ法を用いた量子ドットアレイ導波路の広帯域な発光特性について示す. |
| （英） | Semiconductor self-assembled quantum dots (QDs) that have zero-dimensional carrier confinement structure are predicted to have unique physical properties. And QDs are expected to increase the performance of various semiconductor optical devices such as the QD laser or LED. By using the semiconductor quantum well structure, only one dimension of the height can be controlled the quantum energy level, on the other hand, in the QDs structure, the three-dimensional control of the energy level is possible, and we can obtain the wide energy level control in the QDs structure. In this study, we have fabricated the novel wide wavelength emission QDs device by using arrayed waveguide structure grown by selective area growth and also by using the double-cap procedure during the QDs growth and changing the height of QDs layer by layer. The wide wavelength emission source can be applied, such as very wideband wavelength division multiplex (WDM) system, including the 1.55 μm optical telecommunication wavelength, and the environmental gas detecting in the longer wavelength near the 2.0 μm. |
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| キーワード | （和） | 有機金属気相成長法 / 量子ドット / InAs/InP / 選択成長法 / ダブルキャップ法 / 自己形成 / / |
| （英） | Metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) / Quantum Dots (QDs) / InAs/InP / selective area growth / double-cap procedure / self assembled / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 113, OPE2008-18, pp. 1-6, 2008年6月. | |
| 資料番号 | OPE2008-18 | |
| 発行日 | 2008-06-20 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2008-18 LQE2008-19 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2008-18 LQE2008-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE LQE |
| 開催期間 | 2008-06-27 - 2008-06-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 量子効果デバイス（光信号処理、LD、光増幅、変調等）と集積化技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2008-06-OPE-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Quantum Dots Arrayed Waveguide and its Application for Optical Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機金属気相成長法 / Metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dots (QDs) |
| キーワード(3)（和/英） | InAs/InP / InAs/InP |
| キーワード(4)（和/英） | 選択成長法 / selective area growth |
| キーワード(5)（和/英） | ダブルキャップ法 / double-cap procedure |
| キーワード(6)（和/英） | 自己形成 / self assembled |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 泰仁 / Yasuhito Saito / サイトウ ヤスヒト |
| 第1著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia University) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤石 昌隆 / Masataka Akaishi / アカイシ マサタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia University) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大川 達也 / Tatsuya Ookawa / オオカワ タツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia University) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 下村 和彦 / Kazuhiko Shimomura / シモムラ カズヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia University) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-27 09:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OPE2008-18, LQE2008-19 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.113(OPE), no.114(LQE) |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-20 (OPE, LQE) |
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