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| 講演名 | 2008-06-14 09:00 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術 ○原 直紀・高橋 剛・牧山剛三（富士通）・多木俊裕（富士通研）  ED2008-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-32 |
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| 抄録 | （和） | ミリ波帯で動作可能な超高速MMIC作製のために，トランジスタ高速化とデバイス集積化を両立するInP系HEMTデバイス技術を検討した．高速性能を損なうことなくトランジスタを集積化するために，ゲート電極の機械強度維持と配線層間膜に起因する寄生容量の低減に着目した．ゲート長を極限まで短くすることなく高速化するために，縦方向・横方向スケーリングによる相互コンダクタンスの増加を検討した．更に，ゲート電極近傍の配線層間膜を除去する空洞構造を採用することで，配線層間膜に起因する寄生容量の低減を図った．以上の検討により，ゲート長45 nmのデバイスで配線後の遮断周波数517 GHzを実現した． |
| （英） | We have developed InP-based HEMT technology suitable for fabricating ultra-high-speed MMIC. Scaling of both vertical and lateral directions was investigated for enhancing transconductance, which enables us to realize high-speed characteristics without ultra-short-length gate electrodes. Parasitic capacitance originated from interlayer dielectric film for interconnection was reduced by using cavity structure, which was formed by removing the interlayer dielectric film around the gate electrodes. We successfully fabricated 45-nm gate InP HEMT with a cut-off frequency of 517 GHz by employing the above technologies. | |
| キーワード | （和） | MMIC / InP HEMT / ミリ波 / スケーリング / 空洞構造 / / / |
| （英） | MMIC / InP-based HEMT / millimeter wave / scaling / cavity structure / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 87, ED2008-32, pp. 55-60, 2008年6月. | |
| 資料番号 | ED2008-32 | |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-32 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-06-13 - 2008-06-14 |
| 開催地（和） | 金沢大学 角間キャンパス |
| 開催地（英） | Kanazawa University |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面、界面、信頼性、一般） |
| テーマ（英） | Process and device technology od semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超高速MMIC作製のためのInP HEMTデバイス技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InP HEMT device technology for ultra-high-speed MMIC |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(2)（和/英） | InP HEMT / InP-based HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / millimeter wave |
| キーワード(4)（和/英） | スケーリング / scaling |
| キーワード(5)（和/英） | 空洞構造 / cavity structure |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Ltd. (略称： Fujitsu) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Ltd. (略称： Fujitsu) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧山 剛三 / Kozo Makiyama / マキヤマ コウゾウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富士通株式会社 (略称： 富士通) Fujitsu Ltd. (略称： Fujitsu) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki / オオキ トシヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Lab) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-14 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-32 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.55-60 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) |
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