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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-13 13:25 p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性 ～ キャリア濃度,金属仕事関数依存性 ～ ○福島慶広・荻須啓太・葛原正明・塩島謙次（福井大）  ED2008-23 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-23 |
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| 抄録 | （和） | 4種類のMgドーピング濃度の異なるp-GaN上に10種類の電極金属を用いてショットキー接触を形成し、I-V、C-V特性からショットキー障壁高さ（qB）のキャリア濃度（P）、及び金属仕事関数依存性を評価した。Pを3.8x1018cm-3から6x1016cm-3に低下することにより、qBは1 eVから2.2 eVに増加し、Pが1016cm-3台の低い値においても強い依存性が得られた。10種の電極金属において、I-V特性では1.6 eV以上、C-V特性では約2 eVの高いqBが得られた。I-V、C-V特性の金属仕事関数依存性から求めた傾きは、それぞれ+0.28、-0.12の小さい依存性であった。金属/p-GaN界面において強いフェルミー準位ピニングが起きていると考えられる。 |
| （英） | Carrier concentration (P) and metal work function dependences of Schottky barrier height (qB) were measured from I-V and C-V characteristics for different four kind of Mg-doped p-GaN and ten kinds of metal films. With decreasing Na from 3.8x1018 to 6x1016cm-3, qB increased from 1 to 2.2 eV. We obtained the strong P dependence even in a low value of P range in 1016cm-3. qB were as high as over 1.6 eV from I-V and about 2.2 eV from C-V characteristics. The slopes of metal work function dependences were as low as +0.28 and -0.12 from I-V and C-V characteristics respectively, which showed weak dependence. These results indicate that strong Fermi-level pinning occur at the metal/p-GaN interface. | |
| キーワード | （和） | p-GaN / 金属－半導体接触 / ショットキー障壁高さ / ドーピング濃度 / 金属仕事関数 / / / |
| （英） | p-GaN / metal/samiconductor / Schottky barrier height / doping concentration / metal work function / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 87, ED2008-23, pp. 5-10, 2008年6月. | |
| 資料番号 | ED2008-23 | |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-23 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-23 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-06-13 - 2008-06-14 |
| 開催地（和） | 金沢大学 角間キャンパス |
| 開催地（英） | Kanazawa University |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面、界面、信頼性、一般） |
| テーマ（英） | Process and device technology od semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性 |
| サブタイトル（和） | キャリア濃度,金属仕事関数依存性 |
| タイトル（英） | I-V and C-V characteristics of p-GaN schottky contacts |
| サブタイトル（英） | Carrier concentration and metal work function dependences |
| キーワード(1)（和/英） | p-GaN / p-GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 金属－半導体接触 / metal/samiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキー障壁高さ / Schottky barrier height |
| キーワード(4)（和/英） | ドーピング濃度 / doping concentration |
| キーワード(5)（和/英） | 金属仕事関数 / metal work function |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福島 慶広 / Yoshihiro Fukushima / フクシマ ヨシヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荻須 啓太 / Keita Ogisu / オギス ケイタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-13 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-23 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.5-10 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) |
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