講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-06-13 14:15
ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価 ○小松直佳・田中裕崇・青木秀充・松之内恵子・木村千春(阪大)・奥村幸彦(舞鶴高専)・杉野 隆(阪大) ED2008-25 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-25 |
抄録 |
(和) |
現在のパワーデバイスは主にSiで作製されているが、Siパワーデバイスは物性で決まる理論的性能限界に近づいており、この限界を打破する半導体材料としてSiC、GaN、Diamondなどのワイドバンドギャップ半導体が研究されている。これらの半導体を用いたMOS-FETを微細化する上では、リーク電流の抑制が非常に重要になってくる。ゲート絶縁膜には、大きなバンドギャップ同時に高い誘電率も要求される。我々はこれまで、AlOにSiを添加することでリーク電流を抑制できることを報告してきた。今回、AlSiO膜にNを添加することにより150℃以上の高温領域においてもリーク電流を抑制できる効果を確認した。この結果は、AlSiON膜が、高温で動作するワイドギャップ半導体用のゲート絶縁膜へ応用できることを示唆している。 |
(英) |
A gate insulator film with a wide bandgap and a high dielectric constant is required to achieve high power field effect transistor (FET) using wide bandgap semiconductors such as SiC, GaN and diamond. We found that the leakage current of N-doped AlSiO film can be suppressed in high temperature region compared with AlSiO film. This result suggests that the AlSiON film can be applied to wide bandgap semiconductor devices for high temperature operation. |
キーワード |
(和) |
ワイドバンドギャップ / 高温動作 / パワーデバイス / 高誘電率 / MOS-FET / リーク電流 / 窒素添加 / |
(英) |
wide bandgap / high temperature operation / power device / high-k / MOS-FET / leakage current / N doping / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 87, ED2008-25, pp. 17-22, 2008年6月. |
資料番号 |
ED2008-25 |
発行日 |
2008-06-06 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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