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講演抄録/キーワード
講演名 2008-06-13 14:15
ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価
小松直佳田中裕崇青木秀充松之内恵子木村千春阪大)・奥村幸彦舞鶴高専)・杉野 隆阪大ED2008-25 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-25
抄録 (和) 現在のパワーデバイスは主にSiで作製されているが、Siパワーデバイスは物性で決まる理論的性能限界に近づいており、この限界を打破する半導体材料としてSiC、GaN、Diamondなどのワイドバンドギャップ半導体が研究されている。これらの半導体を用いたMOS-FETを微細化する上では、リーク電流の抑制が非常に重要になってくる。ゲート絶縁膜には、大きなバンドギャップ同時に高い誘電率も要求される。我々はこれまで、AlOにSiを添加することでリーク電流を抑制できることを報告してきた。今回、AlSiO膜にNを添加することにより150℃以上の高温領域においてもリーク電流を抑制できる効果を確認した。この結果は、AlSiON膜が、高温で動作するワイドギャップ半導体用のゲート絶縁膜へ応用できることを示唆している。 
(英) A gate insulator film with a wide bandgap and a high dielectric constant is required to achieve high power field effect transistor (FET) using wide bandgap semiconductors such as SiC, GaN and diamond. We found that the leakage current of N-doped AlSiO film can be suppressed in high temperature region compared with AlSiO film. This result suggests that the AlSiON film can be applied to wide bandgap semiconductor devices for high temperature operation.
キーワード (和) ワイドバンドギャップ / 高温動作 / パワーデバイス / 高誘電率 / MOS-FET / リーク電流 / 窒素添加 /  
(英) wide bandgap / high temperature operation / power device / high-k / MOS-FET / leakage current / N doping /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 87, ED2008-25, pp. 17-22, 2008年6月.
資料番号 ED2008-25 
発行日 2008-06-06 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-25 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-25

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2008-06-13 - 2008-06-14 
開催地(和) 金沢大学 角間キャンパス 
開催地(英) Kanazawa University 
テーマ(和) 半導体のプロセス・デバイス(表面、界面、信頼性、一般) 
テーマ(英) Process and device technology od semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2008-06-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of N-doped AlSiO film for wide bandgap semiconductors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ワイドバンドギャップ / wide bandgap  
キーワード(2)(和/英) 高温動作 / high temperature operation  
キーワード(3)(和/英) パワーデバイス / power device  
キーワード(4)(和/英) 高誘電率 / high-k  
キーワード(5)(和/英) MOS-FET / MOS-FET  
キーワード(6)(和/英) リーク電流 / leakage current  
キーワード(7)(和/英) 窒素添加 / N doping  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小松 直佳 / Naoyoshi Komatsu / コマツ ナオヨシ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 裕崇 / Hirotaka Tanaka / タナカ ヒロタカ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 青木 秀充 / Hidemitsu Aoki / アオキ ヒデミツ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松之内 恵子 / Keiko Matsunouchi / マツノウチ ケイコ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 千春 / Chiharu Kimura / キムラ チハル
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥村 幸彦 / Yukihiko Okumura / オクムラ ユキヒコ
第6著者 所属(和/英) 舞鶴工業高等専門学校 (略称: 舞鶴高専)
Maizuru National College of Technology (略称: Maizuru National Col. of Tech.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉野 隆 / Takashi Sugino / スギノ タカシ
第7著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-06-13 14:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2008-25 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.17-22 
ページ数
発行日 2008-06-06 (ED) 


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