研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2008-06-09 - 2008-06-10 |
開催地(和) |
東京大学(生産研 An棟) |
開催地(英) |
An401・402, Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
テーマ(和) |
ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開:高移動度チャネル技術を中心に)」との合同開催) |
テーマ(英) |
Science and Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2008-06-SDM |
本文の言語 |
英語(日本語タイトルあり) |
タイトル(和) |
金属ナノドットを有する不揮発性メモリの基本特性 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Characterization of Metal Nanodots Nonvolatile Memory |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
裴 艶麗 / Yanli Pei / |
第1著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
西嶋 雅彦 / Masahiko Nishijima / |
第2著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
福島 誉史 / Takafumi Fukushima / |
第3著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
田中 徹 / Tetsu Tanaka / |
第4著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小柳 光正 / Mitsumasa Koyanagi / |
第5著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 所属(和/英) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 所属(和/英) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 所属(和/英) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 所属(和/英) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 所属(和/英) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 所属(和/英) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 所属(和/英) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 所属(和/英) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 所属(和/英) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 所属(和/英) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 所属(和/英) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 所属(和/英) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 所属(和/英) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2008-06-10 14:10:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2008-56 |
巻番号(vol) |
vol.108 |
号番号(no) |
no.80 |
ページ範囲 |
pp.83-88 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2008-06-02 (SDM) |