電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2008-06-10 09:55
III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術
安田哲二宮田典幸産総研)・大竹晃浩物質・材料研究機構エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-49
抄録 (和) 22 nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして,III-V族半導体のnチャネルへの導入が注目を集めている.本研究では,III-V/High-k界面のモデル系として,HfO2/GaAs直接接合界面の結合をGa-O型とAs-O型とで作り分けた試料の電気特性について検討した.さらに,CMOSのpチャネルにGe系の材料が採用された場合にゲートスタックの一括プロセスが可能になるという観点から,極薄エピタキシャルGe界面層の挿入効果を検討した.その結果,界面電気特性は界面結合の種類に依存して大きく変わること,および,GaやAsの表面偏析が抑制される条件でGe層を形成することにより周波数分散の小さいC-V特性が得られることが明らかになった. 
(英) Introduction of III-V semiconductors to the n channel of CMOS devices is one of the options to sustain performance improvements in the hp22 nm node and beyond. In this study, we chose HfO2/GaAs as the model system of the high-k/III-V interfaces and examined the electrical properties of the direct contact HfO2/GaAs interfaces that were intentionally composed of either Ga-O or As-O bonds. We also investigated the effects of an ultrathin epitaxial Ge interface layer on the electrical properties. It has been found that the electrical properties are strongly dependent on the type of the interface bonds. Ge insertion is effective to reduce the frequency dispersion of the C-V characteristics, provided that surface segregation of the As and Ga atoms to the Ge surface is suppressed.
キーワード (和) III-V族半導体 / High-k絶縁膜 / GaAs / HfO2 / Ge / C-V特性 / フェルミレベルピニング / 表面再構成  
(英) III-V semiconductors / High-k dielectrics / GaAs / HfO2 / Ge / C-V characteristics / Fermi level pinning / surface reconstruction  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 80, SDM2008-49, pp. 41-46, 2008年6月.
資料番号 SDM2008-49 
発行日 2008-06-02 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2008-06-09 - 2008-06-10 
開催地(和) 東京大学(生産研 An棟) 
開催地(英) An401・402, Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo 
テーマ(和) ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開:高移動度チャネル技術を中心に)」との合同開催) 
テーマ(英) Science and Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Gate Dielectrics Interface Control for III-V MISFET 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) III-V族半導体 / III-V semiconductors  
キーワード(2)(和/英) High-k絶縁膜 / High-k dielectrics  
キーワード(3)(和/英) GaAs / GaAs  
キーワード(4)(和/英) HfO2 / HfO2  
キーワード(5)(和/英) Ge / Ge  
キーワード(6)(和/英) C-V特性 / C-V characteristics  
キーワード(7)(和/英) フェルミレベルピニング / Fermi level pinning  
キーワード(8)(和/英) 表面再構成 / surface reconstruction  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 安田 哲二 / Tetsuji Yasuda /
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮田 典幸 / Noriyuki Miyata /
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 大竹 晃浩 / Akihiro Ohtake /
第3著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2008-06-10 09:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2008-49 
巻番号(vol) IEICE-108 
号番号(no) no.80 
ページ範囲 pp.41-46 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2008-06-02 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会