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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-10 09:30 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント ○清家 綾・丹下智之・佐野一拓・杉浦裕樹・土田育新・太田洋道・渡邉孝信（早大）・小瀬村大亮・小椋厚志（明大）・大泊 巌（早大）  SDM2008-48 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-48 |
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| 抄録 | （和） | 熱酸化膜起因の引っ張り歪を印加する事により、n型ナノワイヤFETs (n-nwFETs)、p型のナノワイヤFETs(p-nwFETs)の両タイプにおいて、トランスコンダクタンス(gm)の向上を達成した。gmはp-nwFETsで1.5倍、n-nwFETsで3.0倍向上した。またトランスコンダクタンスのチャネル方向依存性を評価した結果、p-nwFETsでは、<110>方向にチャネルを作成したデバイスのgmは、<100>のデバイスと比べ1.29倍向上し、n-nwFETsでは、<100>方向にチャネルを作成したデバイスのgmが<110>と比べ、1.25倍向上した。更に、p-nwFETsに関してドレイン電圧(Vds)依存性を評価した結果、Vds=1Vにおいて更なるg_m向上を確認した。これはホールのドリフト速度の異方性に起因すると考えられる。 |
| （英） | We have demonstrated improved performance for Si nanowire FETs for CMOS operation by introducing tensile stress into the Si nanowires. Nanowires oxidized at 850℃ for 3h exhibited the largest transconductance (gm) by a factor of 1.5 in p-type nanowire FETs (n-nwFETs) and 3.0 in n-type nanowire FETs, with respect to those oxidized at 850℃ for 1h. The higher value of gm for p-type nanowire FETs (p-nwFETs) is strongly enhanced by the channel direction of the device. gm for p-type nanowire FETs is enhance by a factor of 1.29 in <110> devices compared with <100> devices. The additional enhancement in p-type nwFETs at higher Vds is due to the anisotropy of hole drift velocity with respect to the orientation of channel. | |
| キーワード | （和） | ナノワイヤ / トランジスタ / トランスコンダクタンス / 歪 / CMOS / UVラマン分光法 / MDシミュレーション / |
| （英） | nanowire / transistors / transconductance / strain / CMOS / UV Raman / MD simulation / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 80, SDM2008-48, pp. 35-39, 2008年6月. | |
| 資料番号 | SDM2008-48 | |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-48 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-06-09 - 2008-06-10 |
| 開催地（和） | 東京大学(生産研 An棟) |
| 開催地（英） | An401・402, Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開：高移動度チャネル技術を中心に）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Transconductance enhancement of strained-Si nanowire FETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤ / nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | トランジスタ / transistors |
| キーワード(3)（和/英） | トランスコンダクタンス / transconductance |
| キーワード(4)（和/英） | 歪 / strain |
| キーワード(5)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(6)（和/英） | UVラマン分光法 / UV Raman |
| キーワード(7)（和/英） | MDシミュレーション / MD simulation |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清家 綾 / Aya Seike / セイケ アヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丹下 智之 / Tomoyuki Tange / タンゲ トモユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐野 一拓 / Itsutaku Sano / サノ イツタク |
| 第3著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉浦 裕樹 / Yuuki Sugiura / スギウラ ユウキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土田 育新 / Ikushin Tsuchida / ツチダ イクシン |
| 第5著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 洋道 / Hiromichi Ohta / オオタ ヒロミチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 孝信 / Takanobu Watanabe / ワタナベ タカノブ |
| 第7著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小瀬村 大亮 / Daisuke Kosemura / コセムラ ダイスケ |
| 第8著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大泊 巌 / Iwao Ohdomari / オオドマリ イワオ |
| 第10著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-10 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-48 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.35-39 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) |
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