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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-09 14:40 ［チュートリアル講演］化合物半導体電子デバイス開発の軌跡 ○大野泰夫（徳島大）  SDM2008-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-43 |
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| 抄録 | （和） | 化合物半導体は、高移動度と言うことでシリコンデバイスを超える次世代デバイスと期待されてきた。実際に衛星放送受信用低雑音FET、光通信用IC、携帯電話端末用FET,HBT、基地局用パワーFETなどが実用化されたが、期待されたデジタルLSIは普及には至らなかった。現在開発はGaNなどのワイドバンドギャップ系に移っている。これらの推移の背景をデバイス物理、シリコンとの違い、応用面の変化など観点から解説する。 |
| （英） | Compound semiconductor devices has been expected as future electron devices exceeding the performances of conventional silicon based devices. They have actually commercialized for low-noise FETs for satellite broadcasting, optical communication ICs, cell-phone amplifier FETs and HBTs and power FETs for cell-phone base stations. However, they have not been used as the expected digital LSI devices. The main development area of compound devices is shifting to wide bandgap semiconductors. This article explains the backgrounds of these trends from the view of device physics, difference from silicon counterparts and shifts in applications. | |
| キーワード | （和） | 化合物半導体 / HEMT / キャリア移動度 / τP積 / 電圧限界 / ワイドバンドギャップ / / |
| （英） | compound semiconductor / HEMT / carrier drift mobility / τP product / voltage limitation / ide bandgap / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 80, SDM2008-43, pp. 7-12, 2008年6月. | |
| 資料番号 | SDM2008-43 | |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-06-09 - 2008-06-10 |
| 開催地（和） | 東京大学(生産研 An棟) |
| 開催地（英） | An401・402, Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開：高移動度チャネル技術を中心に）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 化合物半導体電子デバイス開発の軌跡 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development History of Compound Semiconductor Electron Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 化合物半導体 / compound semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | キャリア移動度 / carrier drift mobility |
| キーワード(4)（和/英） | τP積 / τP product |
| キーワード(5)（和/英） | 電圧限界 / voltage limitation |
| キーワード(6)（和/英） | ワイドバンドギャップ / ide bandgap |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 泰夫 / Yasuo Ohno / |
| 第1著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Tokushima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-09 14:40:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-43 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) |
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