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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-09 13:30 ［チュートリアル講演］高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望 ○高木信一（東大）  SDM2008-42 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-42 |
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| 抄録 | （和） | 45nm世代を迎え、種々の微細化限界により、CMOS性能の飽和が顕在化している。このため、チャネルの電流駆動力向上やマルチゲートによる短チャネル効果抑制などの様々なチャネルエンジニアリングが、今後のCMOS特性の向上と等価的スケーリングには必須の技術と考えられている。本講演では、以上の観点から、ひずみSiやGeチャネル、III-Vチャネルを用いたMOSFETの現状・課題・将来像を紹介する。 |
| （英） | Saturation of CMOS performance has been evident in the present 45 nm technology and beyond because of the a variety of limitations on the miniaturization. Thus, channel engineering, including the enhancement of drive current due to high mobility channel materials and multi-gate structures with robustness against short channel effects, has currently been recognized as mandatory for high performance CMOS. In this paper, we review the current status, the critical issues and the future prospects of the development of mobility-enhanced CMOS device structures using strained-Si, SiGe, Ge and III-V semiconductor MOS channels and the carrier transport properties in those channels. | |
| キーワード | （和） | CMOS / 移動度 / ひずみSi / チャネルエンジニアリング / SiGe / Ge / III-V族半導体 / |
| （英） | CMOS / mobility / strained Si / channel engineering / SiGe / Ge / III-V semiconductor / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 80, SDM2008-42, pp. 1-6, 2008年6月. | |
| 資料番号 | SDM2008-42 | |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-42 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-42 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-06-09 - 2008-06-10 |
| 開催地（和） | 東京大学(生産研 An棟) |
| 開催地（英） | An401・402, Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開：高移動度チャネル技術を中心に）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-06-SDM |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current Status and Prospects of High Mobility Channel Technologies for High performance CMOS |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(3)（和/英） | ひずみSi / strained Si |
| キーワード(4)（和/英） | チャネルエンジニアリング / channel engineering |
| キーワード(5)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(6)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(7)（和/英） | III-V族半導体 / III-V semiconductor |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 信一 / Shinichi Takagi / タカギ シンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo/MIRAI-AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-09 13:30:00 |
| 発表時間 | 60分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-42 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) |
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