講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-05-29 16:40
Alq3を含む有機EL素子の変位電流特性 ~ ヘテロ界面での正孔蓄積機構および成膜時の光照射効果 ~ ○野口 裕・佐藤直樹・田中有弥・中山泰生・石井久夫(千葉大) OME2008-31 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2008-31 |
抄録 |
(和) |
変位電流評価法によりtris-(8-hydroxyquinolate) aluminum (Alq$_3$)を含んだ有機エレクトロルミネッセンス素子の電荷蓄積機構を解析した。4,4$^{\prime}$-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]-biphenyl ($\alpha$-NPD)/Alq$_3$界面の蓄積電荷量は、built-in voltage ($V_{\mathrm{bi}}$)を境界にして二種類に分類できる。すなわち、$V_{\mathrm{bi}}$以下の印加電圧では、$\alpha$-NPD/Alq$_3$界面に存在する負の界面電荷を相殺する量の正孔が蓄積し、$V_{\mathrm{bi}}$以上の印加電圧では接触抵抗を含めた各層の抵抗率の差に応じて蓄積電荷量が決まる。さらに、我々はこの蓄積電荷量は素子作製時の光照射により大きく減少することを見出した。この結果は、$\alpha$-NPD/Alq$_3$界面での電荷蓄積機構にAlq$_3$層の配向分極が強く関わっていることを示唆する。 |
(英) |
We examined the mechanism of charge accumulation in organic light-emitting diodes comprising tris-(8-hydroxyquinolate) aluminum (Alq$_3$) using a displacement current measurement. Depending on the applied biasing voltage, two kinds of accumulation behavior were observed. At the biases lower than the built-in voltage ($V_{\mathrm{bi}}$), the amount of hole accumulated at 4,4$^{\prime}$-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]-biphenyl/Alq$_3$ is dominated by the negative charge at the interface, but at the biases higher than $V_{\mathrm{bi}}$, it is determined by the conductivity of each layer. In addition, we found that light irradiation during the device fabrication significantly reduces the amount of hole accumulated at the interface, suggesting that the orientation polarization in Alq$_3$ film is responsible for the charge accumulation properties. |
キーワード |
(和) |
有機EL素子 / 電荷蓄積 / 変位電流評価法 / 界面電荷 / 巨大表面電位 / / / |
(英) |
organic light-emitting diode / charge accumulation / displacement current masurement / interfacial charge / giant surface potential / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 59, OME2008-31, pp. 55-60, 2008年5月. |
資料番号 |
OME2008-31 |
発行日 |
2008-05-22 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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