講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-05-29 16:00
段差型有機FETの電気的特性評価 ○高野智輝・山内 博・飯塚正明・國吉繁一・酒井正俊・中村雅一・工藤一浩(千葉大) OME2008-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2008-29 |
抄録 |
(和) |
段差構造を利用した縦型有機電界効果トランジスタ(段差型OFET)を作製し,その静特性および動特性の評価を行った.段差型OFETは,ソースおよびドレイン電極を基板に対して斜め方向から蒸着することで,ライン状のゲート電極のエッジ部分がシャドウマスクとして働き,チャネルを形成する.チャネル長はゲート電極の膜厚程度となり,ゲート電極の膜厚を制御することで容易にチャネル長の制御が可能となる.有機半導体層にペンタセンを用い,チャネル長約1μmの素子を作製,評価した結果,50kHzという高い遮断周波数が得られた. |
(英) |
The organic field-effect transistor (OFET) with step-edge structure having a very short channel length was fabricated. Source and drain electrodes were obliquely deposited by vacuum evaporation onto a gate-formed substrate. The step-edge of the gate electrode serve as a shadow mask, and the short channel is formed at the step-edge. Then the channel length corresponds to the thickness of the gate electrode, and the channel length is controlled by choosing the film thickness of the gate electrode. Pentacene was used as the organic semiconductor. We report electrical characteristics of new type OFET with channel length of 1 μm. |
キーワード |
(和) |
縦型トランジスタ / 有機電界効果トランジスタ(OFET) / ペンタセン / 短チャネル / / / / |
(英) |
Vertical channel / Organic field-effect transistor (OFET) / Pentacene / Short channel length / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 59, OME2008-29, pp. 45-50, 2008年5月. |
資料番号 |
OME2008-29 |
発行日 |
2008-05-22 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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