お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2008-05-29 16:00
段差型有機FETの電気的特性評価
高野智輝山内 博飯塚正明國吉繁一酒井正俊中村雅一工藤一浩千葉大OME2008-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2008-29
抄録 (和) 段差構造を利用した縦型有機電界効果トランジスタ(段差型OFET)を作製し,その静特性および動特性の評価を行った.段差型OFETは,ソースおよびドレイン電極を基板に対して斜め方向から蒸着することで,ライン状のゲート電極のエッジ部分がシャドウマスクとして働き,チャネルを形成する.チャネル長はゲート電極の膜厚程度となり,ゲート電極の膜厚を制御することで容易にチャネル長の制御が可能となる.有機半導体層にペンタセンを用い,チャネル長約1μmの素子を作製,評価した結果,50kHzという高い遮断周波数が得られた. 
(英) The organic field-effect transistor (OFET) with step-edge structure having a very short channel length was fabricated. Source and drain electrodes were obliquely deposited by vacuum evaporation onto a gate-formed substrate. The step-edge of the gate electrode serve as a shadow mask, and the short channel is formed at the step-edge. Then the channel length corresponds to the thickness of the gate electrode, and the channel length is controlled by choosing the film thickness of the gate electrode. Pentacene was used as the organic semiconductor. We report electrical characteristics of new type OFET with channel length of 1 μm.
キーワード (和) 縦型トランジスタ / 有機電界効果トランジスタ(OFET) / ペンタセン / 短チャネル / / / /  
(英) Vertical channel / Organic field-effect transistor (OFET) / Pentacene / Short channel length / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 59, OME2008-29, pp. 45-50, 2008年5月.
資料番号 OME2008-29 
発行日 2008-05-22 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2008-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2008-29

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2008-05-29 - 2008-05-29 
開催地(和) 電気倶楽部第3会議室 
開催地(英) Denki-Club, Meeting room 3 
テーマ(和) 有機材料・一般 
テーマ(英) Electronic organic materials 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2008-05-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 段差型有機FETの電気的特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrical Characterization of Vertical Channel Organic Field-Effect Transistor with Step-Edge Structure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 縦型トランジスタ / Vertical channel  
キーワード(2)(和/英) 有機電界効果トランジスタ(OFET) / Organic field-effect transistor (OFET)  
キーワード(3)(和/英) ペンタセン / Pentacene  
キーワード(4)(和/英) 短チャネル / Short channel length  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高野 智輝 / Tomoki Takano / タカノ トモキ
第1著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山内 博 / Hiroshi Yamauchi / ヤマウチ ヒロシ
第2著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 飯塚 正明 / Masaaki Iizuka / イイヅカ マサアキ
第3著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 國吉 繁一 / Shigekazu Kuniyoshi / クニヨシ シゲカズ
第4著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 酒井 正俊 / Masatoshi Sakai / サカイ マサトシ
第5著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 雅一 / Masakazu Nakamura / ナカムラ マサカズ
第6著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 工藤 一浩 / Kazuhiro Kudo / クドウ カズヒロ
第7著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2008-05-29 16:00:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2008-29 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.59 
ページ範囲 pp.45-50 
ページ数
発行日 2008-05-22 (OME) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会