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講演抄録/キーワード
講演名 2008-05-16 14:40
電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法
小野英則小川和也加藤正史市村正也名工大ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39
抄録 (和) 4H-SiCショットキーダイオードは高速,高耐圧の整流器への応用が期待されている.しかし,SiCショットキーダイオードにおいてショットキー障壁高さがデバイス中で一様でなく,順方向特性が安定しないという報告がされている.本研究では,ZnOの電気化学堆積により4H-SiC表面においてショットキー障壁高さの低い位置の可視化を試みた.そして,ZnOを除去後ZnOが堆積した位置と堆積しなかった位置にNiショットキーダイオードを作製し,両者のショットキー障壁高さの比較を行った.また,ZnOが堆積した位置と溶融塩エッチングにより可視化したエッチピットの位置の比較を試みた.その結果,ZnOが堆積した位置に作製したショットキーダイオードのショットキー障壁高さはZnOが堆積しなかった位置に作製したものよりも低かった.また堆積させたZnOは約半分のものがエッチピットの位置に堆積したが,エッチピットのない位置に堆積したものも存在した. 
(英) 4H-SiC Schottky Diodes are promising for application of high-power and high-frequency rectifiers.However it is reported that the forward bias property is unstable between diodes because of inhomogeneity of Schottky barrier height.We observed regions with a low Schottky barrier height on 4H-SiC surface by the electrochemical deposition of ZnO.After removing ZnO,we fabricated Ni Schottky diodes on the position with and without deposited ZnO films.Then,we compared the Schottky barrier height of the diodes fabricated on the position with and without deposited ZnO films.Schottky barrier heights of Schottky Diodes fabricated on the position of a deposited ZnO film were lower than the one fabricated on the position of no deposited ZnO films.Molten salt etching reveal that approximately half of the ZnO films were deposited on the position of etch pit , while other films were deposited on the position of no etch pit.
キーワード (和) 4H-SiC / ショットキー障壁高さ / 結晶欠陥 / 電気化学堆積 / ZnO / / /  
(英) 4H-SiC / Schottky barrier height / defect / electrochemical deposition / ZnO / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 34, ED2008-19, pp. 89-94, 2008年5月.
資料番号 ED2008-19 
発行日 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-19 CPM2008-27 SDM2008-39

研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2008-05-15 - 2008-05-16 
開催地(和) 名古屋工業大学 
開催地(英) Nagoya Institute of Technology 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2008-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 電気化学堆積を用いた4H-SiCショットキー障壁高さ変化の可視化手法 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Observation Method of Variation in Barrier Height in 4H-SiC Schottky Diodes Using the Electrochemical Deposition 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 4H-SiC / 4H-SiC  
キーワード(2)(和/英) ショットキー障壁高さ / Schottky barrier height  
キーワード(3)(和/英) 結晶欠陥 / defect  
キーワード(4)(和/英) 電気化学堆積 / electrochemical deposition  
キーワード(5)(和/英) ZnO / ZnO  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野 英則 / Hidenori Ono / オノ ヒデノリ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 和也 / Kazuya Ogawa / オガワ カズヤ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ
第4著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
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講演者
発表日時 2008-05-16 14:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2008-19,IEICE-CPM2008-27,IEICE-SDM2008-39 
巻番号(vol) IEICE-108 
号番号(no) no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) 
ページ範囲 pp.89-94 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2008-05-08,IEICE-CPM-2008-05-08,IEICE-SDM-2008-05-08 


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